[发明专利]基于LiNbO3有效

专利信息
申请号: 202111490222.2 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114362822B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 叶子蔚;任嘉伟;王超;穆昱;韩胜涛 申请(专利权)人: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
主分类号: H04B10/114 分类号: H04B10/114;H04B10/2537;H04B10/548
代理公司: 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 代理人: 石丹丹
地址: 450000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 基于 linbo base sub
【权利要求书】:

1.一种基于LiNbO3体调制器的自然光通信方法,其特征在于,包括以下步骤:

设计基于LiNbO3体调制器的自然光调制装置结构,所述基于LiNbO3体调制器的自然光调制装置包括沿自然光传播方向设置的滤光片、起偏器、LiNbO3体调制器和检偏器,起偏器和检偏器相互正交;所述LiNbO3体调制器包括LiNbO3晶体和极板;

当一束偏振光延LiNbO3晶体的x轴或者y轴方向通过,在电场驱动下,产生y或者x偏振方向的o光和z偏振方向的e光,o光和e光在出射时将产生相应的相位差,出射光的总偏振态为这两个正交偏振方向出射时状态的矢量和;

当向LiNbO3体调制器施加不同的调制电压时,若相位差为π的奇数倍,出射光偏振态与入射光正交;若相位差为π的偶数倍,出射光偏振态与入射光平行;

计算LiNbO3体调制器的调制电压包括:

所述LiNbO3体调制器通过BiasTee结构驱动,BiasTee结构的L端和C端分别输入直流偏置电压Vb和调制信号vs

当o光和e光出射时的相位差为π时,出射光偏振态与入射光正交,定义此时需要的电压为半波电压Vπ

式中,λ表示光波波长,ne表示LiNbO3晶体内z轴向的折射率,n0表示LiNbO3晶体内x或y轴向的折射率,且x轴向和y轴向的折射率相等,r33表示z轴方向施加电场时,z轴方向的线性变化系数,r13表示z轴方向施加电场时,x轴方向的线性变化系数,d表示极板间距,l表示调制器厚度;

调制信号为基带调制信号vm(t)与半波电压Vπ的乘积,表示如下:

vs(t)=vm(t)·Vπ

直流偏置电压Vb的设置需要考虑o光和e光出射时的初始相位差即无任何外电场的本征状态下的出射相位差;的大小与入射光波长及调制器厚度相关;初始相位差与直流偏置电压Vb、半波电压Vπ的关系表示如下:

LiNbO3体调制器的调制电压计算公式如下:

由于的取值范围因此Vb∈(-Vπ,Vπ];当仅施加直流偏置电压Vb时,出射光与入射光偏振方向无改变,光束无法透出检偏器,LiNbO3体调制器状态为暗态“0”;当施加电压Vb±Vπ时LiNbO3体调制器透射率达到最大,o光和e光产生相位差为π,出射光偏振方向与入射光正交,光束能从检偏器透射出去,LiNbO3体调制器状态为亮态“1”;

所述初始相位差的计算公式如下:

式中,l表示调制器厚度,λ表示光波波长,ne表示LiNbO3晶体内z轴向的折射率,n0表示LiNbO3晶体内x或y轴向的折射率,表示本征状态下光完全通过LiNbO3晶体后o光和e光产生的总体相移,m为满足的最大正整数。

2.根据权利要求1所述的基于LiNbO3体调制器的自然光通信方法,其特征在于,所述滤光片用于选择需要的光谱范围,所述起偏器用于让入射光以特定的偏振方向进入LiNbO3体调制器,所述LiNbO3体调制器用于调制出射光的偏振方向,所述检偏器用于检测出射光的偏振方向是否与检偏器一致。

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