[发明专利]一种蒙自兰快速繁殖方法及培养基在审

专利信息
申请号: 202111476878.9 申请日: 2021-12-06
公开(公告)号: CN114467747A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 邵丽;黄卫昌;倪子轶;曾歆花;胡超;蒋凯 申请(专利权)人: 上海辰山植物园
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 上海市嘉华律师事务所 31285 代理人: 陈卫
地址: 201602 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 蒙自 快速 繁殖 方法 培养基
【权利要求书】:

1.一种蒙自兰快速繁殖方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1准备材料:选取健康的蒙自兰植株,于开花时进行人工授粉,将授粉后形成蒴果的种子用作播种;

S2无菌播种:将无菌处理的种子接种到萌发培养基上待其萌发,所述萌发培养基包含MS基础培养基、1/2MS基础培养基、1/3MS基础培养基中的一种;

S3丛芽增殖:将萌发后叶片分化的小苗接种到增殖培养基上待其增殖,所述增殖培养基包含1/2MS基础培养基;

S4生根壮苗:将增殖后的小苗接种到壮苗培养基上待其生根壮苗,所述壮苗培养基包含1/2MS基础培养基;

S5移栽:将生根壮苗后的蒙自兰瓶苗转移到温室内,5—7天后将无菌苗从培养瓶中取出、冲洗、种植在介质中,再置于温室内遮阴处,室温不超过28℃,保持湿度60%—70%,待植株稳定生长后进行水肥养护。

2.根据权利要求1所述的蒙自兰快速繁殖方法,其特征在于,在步骤S2中,具体包括以下步骤:将蒙自兰蒴果在水流下冲洗20min,在超净工作台用75%酒精浸泡30s后,用含少许吐温20的0.1%升汞溶液震荡消毒12min,无菌水漂洗4次,滤纸吸干蒴果表面水分,然后切开蒴果,再将种子接种到播种培养基上待其萌发。

3.根据权利要求1所述的蒙自兰快速繁殖方法,其特征在于,在步骤S2—S4中,环境条件具体为:

温度:23—27℃,

光照强度:2000—2500lux,

光源:LED灯白光,

光照时长:12小时/天,

湿度:50%—70%。

4.根据权利要求1所述的蒙自兰快速繁殖方法,其特征在于,在步骤S5中,环境条件具体为:

温度:22—28℃,

自然光照强度:3000—5000lux,

湿度:60%—70%;

所述介质中的树皮:草炭:兰石的质量比为1:2:1。

5.根据权利要求1所述的蒙自兰快速繁殖方法,其特征在于,在步骤S1、S2阶段所获取的用于萌发的种子,所述种子的成熟度为85—115天。

6.一种蒙自兰种子萌发培养基,适用于蒙自兰快速繁殖,其特征在于,所述萌发培养基每升包含0—1mgNAA、0—1.5mg6-BA。

7.一种蒙自兰丛芽增殖培养基,适用于蒙自兰快速繁殖,其特征在于,所述丛芽增殖培养基每升包含0—0.5mgNAA、0.5—2.5mg6-BA。

8.一种蒙自兰壮苗生根培养基,适用于蒙自兰快速繁殖,其特征在于,所述壮苗生根培养基每升包含0—1mgNAA、0—100g香蕉匀浆、0—100g土豆匀浆、0—100ml椰青。

9.一种蒙自兰催花培养基,适用于蒙自兰植株的催花,其特征在于,蒙自兰植株催花阶段所使用的催花培养基包含每升0—2mg6-BA、0—0.5mgNAA、0—0.5mgTDZ、0—0.5mg2,4-D、0—1mgPP333以及0-30g香蕉匀浆。

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