[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法

说明书

在显示装置中，在同一衬底上制造可以高速工作的电路和像素。显示装置的制造方法如下所述。在第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜、第一金属膜及岛状的第一抗蚀剂掩模。接着，在形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层的同时使第一绝缘层的顶面的一部分露出，去除第一抗蚀剂掩模。接着，在第一金属层及第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜、第二金属膜及岛状的第二抗蚀剂掩模。接着，形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层，去除第二抗蚀剂掩模。然后，去除第一金属层及第二金属层。

技术领域

本发明的一个方式涉及一种半导体装置。本发明的一个方式涉及一种显示装置。本发明的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

背景技术

显示装置的驱动电路为了实现显示部的高清晰化及多灰度化而被要求高性能化。因此，作为显示装置的驱动电路，尤其作为源极驱动器，采用使用单晶衬底制造的IC(Integrated Circuit：集成电路)(以下还称为驱动器IC)。

驱动器IC包括移位寄存器、锁存器、电平转换器、数字模拟转换电路(也称为DAC)及模拟缓冲器等。移位寄存器及锁存器为处理数字信号的电路，电平转换器及DAC为将数字信号转换为模拟信号的电路，模拟缓冲器为生成并输出灰度电压的电路。尤其是处理数字信号的电路被要求高速进行工作。

作为可用于设置在显示装置的显示部的晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且通过使铟的比率比镓的比率高从而使场效应迁移率得到提高的半导体装置。

由于金属氧化物可以利用溅射法等形成，所以可以被用于构成大型显示装置的晶体管的半导体层。此外，因为可以将使用多晶硅或非晶硅的晶体管的生产设备的一部分改良而利用，所以还可以抑制设备投资。此外，与使用非晶硅的晶体管相比，使用金属氧化物的晶体管具有高场效应迁移率，所以可以实现设置有栅极驱动器的高性能显示装置。

[专利文献1]日本专利申请公开第2014-7399号公报

发明内容

本发明的一个方式的目的之一是提供一种包括可以高速工作的电路的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是在同一衬底上制造像素及驱动电路。本发明的一个方式的目的之一是在同一衬底上制造像素和源极驱动器的至少一部分。本发明的一个方式的目的之一是在同一衬底上分开制造不同的晶体管。

注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽出上述以外的目的。

本发明的一个方式是一种显示装置的制造方法，该显示装置包括：包括第一氧化物半导体层的第一晶体管以及包括第二氧化物半导体层的第二晶体管，该制造方法具有如下工序。即，在第一衬底上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜，在第一金属氧化物膜上形成第一金属膜，在第一金属膜上形成岛状的第一抗蚀剂掩模。接着，去除第一金属膜及第一金属氧化物膜中没有被第一抗蚀剂掩模覆盖的部分，在形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层的同时使第一绝缘层的顶面的一部分露出。接着，去除第一抗蚀剂掩模，在第一金属层及第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜，在第二金属氧化物膜上形成第二金属膜，在第二金属膜上且不与第一金属膜重叠的区域形成岛状的第二抗蚀剂掩模。接着，去除第二金属膜及第二金属氧化物膜中没有被第二抗蚀剂掩模覆盖的部分，形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层，并去除第二抗蚀剂掩模。然后，去除第一金属层及第二金属层。