[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括含有第一氧化物半导体层的第一晶体管以及含有第二氧化物半导体层的第二晶体管，所述制造方法包括如下步骤：

在第一衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜；

在所述第一金属氧化物膜上形成第一金属膜；

在所述第一金属膜上形成岛状的第一抗蚀剂掩模；

去除所述第一金属膜及所述第一金属氧化物膜中没有被所述第一抗蚀剂掩模覆盖的部分，从而形成岛状的第一金属层和岛状的第一氧化物半导体层，使所述第一绝缘层的顶面的一部分露出；

去除所述第一抗蚀剂掩模；

在所述第一金属层及所述第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜；

在所述第二金属氧化物膜上形成第二金属膜；

在所述第二金属膜上的不与所述第一金属膜重叠的区域形成岛状的第二抗蚀剂掩模；

去除所述第二金属膜及所述第二金属氧化物膜中没有被所述第二抗蚀剂掩模覆盖的部分，从而形成岛状的第二金属层和岛状的第二氧化物半导体层；

去除所述第二抗蚀剂掩模；以及

去除所述第一金属层及所述第二金属层。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，

其中所述第一金属氧化物膜包含铟、锌及镓，

所述第二金属氧化物膜包含铟，

并且所述第二金属氧化物膜中的相对于金属元素的原子数的铟的原子数的比率高于所述第一金属氧化物膜的该比率。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，

其中所述第二金属氧化物膜包含铟、锌及镓，

所述第一金属氧化物膜包含铟，

并且所述第一金属氧化物膜中的相对于金属元素的原子数的铟的原子数的比率高于所述第二金属氧化物膜的该比率。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，

其中所述第一金属膜通过干蚀刻法进行蚀刻，所述第一金属氧化物膜通过湿蚀刻法进行蚀刻，

所述第二金属膜通过干蚀刻法进行蚀刻，所述第二金属氧化物膜通过湿蚀刻法进行蚀刻，

并且所述第一金属层和所述第二金属层通过湿蚀刻法进行蚀刻。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，

其中钨、钼或钛被用于所述第一金属膜和所述第二金属膜。

6.一种显示装置的制造方法，所述显示装置包括含有第一氧化物半导体层的第一晶体管以及含有第二氧化物半导体层的第二晶体管，所述制造方法包括如下步骤：

在第一衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成第一金属氧化物膜；

在所述第一金属氧化物膜上形成第一金属膜；

在所述第一金属膜上形成岛状的第一抗蚀剂掩模；

去除所述第一金属膜中没有被所述第一抗蚀剂掩模覆盖的部分，从而形成岛状的第一金属层；

去除所述第一抗蚀剂掩模；

去除所述第一金属氧化物膜中没有被所述第一金属膜覆盖的部分，从而形成岛状的第一氧化物半导体层，使所述第一绝缘层的顶面的一部分露出；

在所述第一金属层及所述第一绝缘层上形成第二金属氧化物膜；

在所述第二金属氧化物膜上形成第二金属膜；

在所述第二金属膜上的不与所述第一金属膜重叠的区域形成岛状的第二抗蚀剂掩模；

去除所述第二金属膜中没有被所述第二抗蚀剂掩模覆盖的部分，从而形成岛状的第二金属层；

去除所述第二抗蚀剂掩模；

去除所述第二金属氧化物膜中没有被所述第二金属膜覆盖的部分，从而形成岛状的第二氧化物半导体层；以及

去除所述第一金属层及所述第二金属层。

7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，

其中所述第一金属氧化物膜包含铟、锌及镓，

所述第二金属氧化物膜包含铟，

并且所述第二金属氧化物膜中的相对于金属元素的原子数的铟的原子数的比率高于所述第一金属氧化物膜的该比率。