[发明专利]一种局部镀膜散热片加工方法在审
申请号: | 202111451934.3 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114134474A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 张于光;郭明哲;胡玮;吴玉红 | 申请(专利权)人: | 联德电子科技(常熟)有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/04;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/32 |
代理公司: | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人: | 闫露露 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 局部 镀膜 散热片 加工 方法 | ||
1.一种局部镀膜散热片加工方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤(1).将需要镀膜的金属产品放置在气密箱内,抽真空,通氩气;
步骤(2).通过电子在电场作用下跟氩原子发生碰撞产生的正离子和新电子,氩正离子以高能量抨击靶表面,将指定的金属镀材并从其表面分离出金属镀材的原子或分子,抨击散射出的靶沉积在散热片表面形成的薄膜;
步骤(3).在金属镀膜空间外侧设有位置控制磁场,控制镀膜方向和位置。
2.根据权利要求1所述的一种局部镀膜散热片加工方法,其特征在于:所述需要镀膜的金属产品材质为铜、铁、铝、镁、不锈钢及其合金中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种局部镀膜散热片加工方法,其特征在于:所述金属镀材为铜、锌、锡、镍、银、金中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种局部镀膜散热片加工方法,其特征在于:所述分离方式为蒸发镀、离子镀、磁控溅射中的一种。
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