[发明专利]可预防闩锁效应的逻辑电路

权利要求书

1.一种逻辑电路，该逻辑电路包含：

P型金氧半晶体管，该P型金氧半晶体管包含：

N型井区；

重掺杂P型有源区，该重掺杂P型有源区用作为所述P型金氧半晶体管的源极并配置于所述N型井区；

重掺杂N型有源区，该重掺杂N型有源区配置于所述N型井区；及

第一接点，该第一接点电性接触所述N型井区中的所述重掺杂P型有源区及所述重掺杂N型有源区；以及

N型金氧半晶体管，该N型金氧半晶体管包含：

P型井区；

重掺杂N型有源区，该重掺杂N型有源区用作为所述N型金氧半晶体管的源极并配置于所述P型井区；

重掺杂P型有源区，该重掺杂P型有源区配置于所述P型井区；及

第二接点，该第二接点电性接触所述P型井区中的所述重掺杂N型有源区及所述重掺杂P型有源区。

2.根据权利要求1所述的逻辑电路，其中，

所述N型井区的所述重掺杂P型有源区及所述重掺杂N型有源区在所述N型井区中彼此连接，且

所述P型井区的所述重掺杂N型有源区及所述重掺杂P型有源区在所述P型井区中彼此连接。

3.根据权利要求1所述的逻辑电路，其中，

所述N型井区的所述重掺杂P型有源区及所述重掺杂N型有源区在所述N型井区中彼此分离，且

所述P型井区的所述重掺杂N型有源区及所述重掺杂P型有源区在所述P型井区中彼此分离。

4.根据权利要求1所述的逻辑电路，其中，所述P型金氧半晶体管及所述N型金氧半晶体管分别包含多晶栅极通过多晶硅走线彼此连接。

5.根据权利要求1所述的逻辑电路，其中，

所述P型金氧半晶体管的所述重掺杂N型有源区在靠近所述N型金氧半晶体管的方向配置于所述P型金氧半晶体管的所述重掺杂P型有源区的一侧，且

所述N型金氧半晶体管的所述重掺杂P型有源区在靠近所述P型金氧半晶体管的方向配置于所述N型金氧半晶体管的所述重掺杂N型有源区的一侧。

6.根据权利要求1所述的逻辑电路，其中，所述P型金氧半晶体还包含重掺杂N型保护环配置于所述N型井区中，且所述第一接点及所述重掺杂N型保护环的第三接点用于同时连接至电压源。

7.根据权利要求6所述的逻辑电路，其中，所述重掺杂N型保护环不延伸于所述P型金氧半晶体管与所述N型金氧半晶体管之间。

8.根据权利要求1所述的逻辑电路，其中，所述N型金氧半晶体还包含重掺杂P型保护环配置于所述P型井区中，且所述第二接点及所述重掺杂P型保护环的第四接点用于同时连接至地电压。

9.根据权利要求8所述的逻辑电路，其中，所述重掺杂P型保护环不延伸于所述P型金氧半晶体管与所述N型金氧半晶体管之间。

10.一种逻辑电路，该逻辑电路包含：

P型金氧半晶体管及N型金氧半晶体管，其中，

所述P型金氧半晶体管的栅极通过延伸于第一方向的多晶硅走线与所述N型金氧半晶体管的栅极电性连接，

所述P型金氧半晶体管的第一接点覆盖于在所述第一方向彼此相邻作为源极的重掺杂P型有源区及额外的重掺杂N型有源区上，及

所述N型金氧半晶体管的第二接点覆盖于在所述第一方向彼此相邻作为源极的重掺杂N型有源区及额外的重掺杂P型有源区上。

11.根据权利要求10所述的逻辑电路，还包含：

第三接点，覆盖于所述P型金氧半晶体管的重掺杂N型保护环上，其中，所述第三接点与所述第一接点在所述P型金氧半晶体管的表面上实体分离；及

第四接点，覆盖于所述N型金氧半晶体管的重掺杂P型保护环上，其中，所述第四接点与所述第二接点在所述N型金氧半晶体管的表面上实体分离。