[发明专利]一种磁控溅射Low-E膜

权利要求书

1.一种磁控溅射Low-E膜，包括基膜层(1)、设置于基膜层(1)一侧且通过安装胶层(6)相连的剥离层(7)、设置于基膜层(1)另一侧且通过复合胶(4)相连的防刮层(5)，通过剥离层(7)剥离后由安装胶层(6)与玻璃(8)表面相贴进行贴膜，其特征在于：

所述基膜(1)与复合胶(4)之间依次设置有热反射镀膜层(2)、Low-E镀膜层(3)；所述Low-E镀膜层(3)采用至少一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；所述热反射镀膜层(2)采用磁控溅射的方法镀至少一层金属化合物薄膜；

由各层相互复合形成具有高透型、遮阳型或双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述Low-E镀膜层(3)包括OPP膜层(31)以及镀银层(32)，所述OPP膜层(31)与热反射镀膜层(2)之间通过复合胶(4)热压复合；所述镀银层(32)的厚度在5-20nm之间，所述OPP膜层(31)的厚度在25-80μm。

3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度20-30nm，第二层为氧化镍铬：厚度10-15nm，第三层为银：厚度10-15nm，第四层为氧化钛：厚度15-25nm，第五层为氮化硅：厚度30-40nm；此时，所述基膜层(1)采用高透型的PET高清膜，厚度为20-60μm；所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层(31)采用高透型OPP高清膜，厚度为20-50μm。

4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度30-60nm，第二层为氧化镍铬：厚度20-35nm，第三层为银：厚度10-15nm，第四层为氧化钛：厚度10-20nm，第五层为氮化硅：厚度50-80nm；此时，所述基膜层(1)采用磨砂型PET膜，厚度为30-85μm；所述遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层(31)采用磨砂型OPP膜，厚度为为30-60μm。

5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度10-25nm，第二层为银层：厚度为15-20nm，第三层为氧化镍铬：厚度15-25nm，第四层为氧化钛：厚度15-25nm，第五层为银层：厚度为15-25nm；第六层为氮化硅：厚度35-60nm；此时，所述基膜层(1)采用高透型或磨砂型的PET高清膜，厚度为25-60μm；所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层(31)采用高透型或磨砂型的OPP高清膜，厚度为25-60μm。

6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述防刮层(5)采用PET防刮膜，厚度为20-50μm。

7.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述复合胶(4)采用UV感压胶，厚度为5-10μm。

8.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述安装胶层(6)采用弹性体型压敏胶或树脂型压敏胶，厚度为5-10μm。

9.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述剥离层(7)采用单硅PET剥离膜、TPX剥离膜、PP离型膜、哑光膜中任意一种，所述剥离层(7)的厚度为5-20μm。