[发明专利]钨铋酸-铁铬酸铋网状纳米线异质结薄膜及其制备方法有效
申请号: | 202111450591.9 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114156351B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 孙书杰;杨东晓;薛颖珊;裴卓远;申俊雅;席琳琦;孙晓甜;殷小丰;房良;夏燕杰 | 申请(专利权)人: | 信阳师范学院 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/072;C23C14/28;C23C14/08;B82Y15/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 苏州九方专利代理事务所(特殊普通合伙) 32398 | 代理人: | 张文婷 |
地址: | 464000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钨铋酸 铁铬酸铋 网状 纳米 线异质结 薄膜 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种钨铋酸‑铁铬酸铋纳米异质结薄膜及其制备方法,该薄膜通过脉冲激光沉积系统,以Bisubgt;2/subgt;FeCrOsubgt;6/subgt;为靶材,在具有网状结构的Bisubgt;2/subgt;WOsubgt;6/subgt;薄膜上生长而成,其中Bisubgt;2/subgt;WOsubgt;6/subgt;薄膜包括多个纵向纳米线和多个横向纳米线,纵向纳米线和横向纳米线相互交错、相互层叠,从而形成网状结构。本发明的制备方法具有普适性,操作工艺简单,价格低廉,利于规模化器件工程应用。所制备的钨铋酸‑铁铬酸铋纳米异质结薄膜表现出突出的光电性能,具有潜在的铁电光伏器件或铁电探测或铁电调控等器件应用前景。
技术领域
本发明涉及材料结构及合成技术领域,尤其涉及一种基于网状结构的钨铋酸-铁铬酸铋纳米线异质结薄膜及其制备方法。
背景技术
铁电氧化物具有自发极化、压电效应、热释电效应、光电效应等特征,能够使多种外场对电性能的控制以及反过来电场对应力、热、光性能的控制成为可能,因此在太阳能电池、光伏存储器、光电探测器、自旋光电子器件等领域里具有潜在的应用前景。
铋系层状钙钛矿氧化物是一类具有优异光催化性能的铁电材料,其中钨酸铋(Bi2WO6)是最简单的一个家族成员,其结构由(Bi2O2)2+层和(WO4)2-钙钛矿层堆垛而成。该种材料具有较窄的禁带宽度和优异的铁电性能,表现出突出的可见光催化分解水和降解有机污染物的高效催化性能,并且通过化学掺杂或者组分变化可以实现禁带宽度的规律性调制。铁铬酸铋 (Bi2FeCrO6)既是一种多铁功能材料,又是一种窄的禁带宽度多铁光伏材料,表现出突出的铁电光伏特性,是潜在的铁电光伏电池中的吸光材料。
目前关于Bi2WO6材料的研究主要集中在陶瓷和纳米结构领域,而未来为满足其多功能器件实际应用的需求,更需要着重研究这种材料的低维薄膜特性功能化的Bi2WO6铁电薄膜,通常采用激光脉冲沉积法、化学液相旋涂法、水热合成法、磁控溅射沉积法等手段制备。其制备出的薄膜结构大都是平面型薄膜。
由于Bi2WO6层状材料原子结构复杂,常用的化学气相沉积法和磁控溅射沉积法,只能制备多晶薄膜,几乎不可能制备出外延取向单晶薄膜,而脉冲激光沉积法或原子层沉积法能够实现高质量的外延薄膜制备,但通常制备条件苛刻。脉冲激光沉积系统是目前最常用的外延薄膜制备仪器,主要制备的薄膜是高质量的平面薄膜,所形成的Bi2WO6材料基异质结也主要为平面型异质结。
尽管这样的薄膜结构是铁电、压电器件所需的理想结构,因为其能够显示出优异性能的铁电、压电性能,也是目前最常见的薄膜形态,但是平面型薄膜也有明显的不足:
1)其薄膜厚度对光电性能影响很大,且薄膜内部会存在大量缺陷,这些缺陷又是载流子的复合中心,进而阻碍内建电场对电子空穴的有效转移;
2)对于Bi2WO6基平面型异质结来说,其耦合特性仅存在于两种材料的界面,极大限制了铁电薄膜新奇物性的出现。
发明内容
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的