[发明专利]钨铋酸-铁铬酸铋网状纳米线异质结薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202111450591.9 申请日: 2021-12-01
公开(公告)号: CN114156351B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 孙书杰;杨东晓;薛颖珊;裴卓远;申俊雅;席琳琦;孙晓甜;殷小丰;房良;夏燕杰 申请(专利权)人: 信阳师范学院
主分类号: H01L31/0336 分类号: H01L31/0336;H01L31/072;C23C14/28;C23C14/08;B82Y15/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 苏州九方专利代理事务所(特殊普通合伙) 32398 代理人: 张文婷
地址: 464000 河*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 钨铋酸 铁铬酸铋 网状 纳米 线异质结 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜,其特征在于,所述Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜通过脉冲激光沉积系统,以Bi2FeCrO6为靶材,在具有网状结构的Bi2WO6薄膜上生长而成;

其中,所述Bi2WO6薄膜包括多个纵向纳米线和多个横向纳米线,所述纵向纳米线和所述横向纳米线形状相同,并相互交错、相互层叠,从而形成所述网状结构。

2.一种根据权利要求1所述的Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

步骤一、具有网状结构的Bi2WO6薄膜的制备:

对衬底进行抛光处理和等离子清洗,采用Bi2WO6陶瓷靶材,通过脉冲激光沉积系统在清洗好的所述衬底上生长所述Bi2WO6薄膜;

步骤二、Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜的制备:

采用Bi2FeCrO6靶材,通过脉冲激光沉积系统在所述Bi2WO6薄膜上原位生长Bi2FeCrO6纳米颗粒,得到所述Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤一中,所述衬底为SrTiO3或0.7wt%Nb:SrTiO3

4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤一和所述步骤二中,所述脉冲激光沉积系统的激光器的激光波长248nm,使得所述Bi2WO6陶瓷靶材和所述Bi2FeCrO6靶材表面的激光能量密度为1J/cm2

5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤一还包括,在生长所述Bi2WO6薄膜前,先设定所述Bi2WO6薄膜的生长条件,即调整所述靶材的表面与所述脉冲激光沉积系统中加热器的表面之间的距离为50mm,并将所述加热器的温度设定为580-650℃,所述Bi2WO6薄膜的生长环境的氧压设定为10-20Pa。

6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤一还包括,待所述Bi2WO6薄膜的生长条件稳定后,将激光脉冲频率设定为2-10Hz,并设定脉冲激光数量,以改变所述Bi2WO6薄膜的厚度。

7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤二还包括,在生长所述Bi2FeCrO6纳米颗粒前,先设定所述Bi2FeCrO6纳米颗粒的生长条件,即将脉冲激光沉积系统中加热器的温度设定为600-700℃,所述Bi2FeCrO6纳米颗粒的生长环境的氧压设定为1-5Pa。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信阳师范学院,未经信阳师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111450591.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top