[发明专利]钨铋酸-铁铬酸铋网状纳米线异质结薄膜及其制备方法有效
申请号: | 202111450591.9 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN114156351B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 孙书杰;杨东晓;薛颖珊;裴卓远;申俊雅;席琳琦;孙晓甜;殷小丰;房良;夏燕杰 | 申请(专利权)人: | 信阳师范学院 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/072;C23C14/28;C23C14/08;B82Y15/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 苏州九方专利代理事务所(特殊普通合伙) 32398 | 代理人: | 张文婷 |
地址: | 464000 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钨铋酸 铁铬酸铋 网状 纳米 线异质结 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜,其特征在于,所述Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜通过脉冲激光沉积系统,以Bi2FeCrO6为靶材,在具有网状结构的Bi2WO6薄膜上生长而成;
其中,所述Bi2WO6薄膜包括多个纵向纳米线和多个横向纳米线,所述纵向纳米线和所述横向纳米线形状相同,并相互交错、相互层叠,从而形成所述网状结构。
2.一种根据权利要求1所述的Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
步骤一、具有网状结构的Bi2WO6薄膜的制备:
对衬底进行抛光处理和等离子清洗,采用Bi2WO6陶瓷靶材,通过脉冲激光沉积系统在清洗好的所述衬底上生长所述Bi2WO6薄膜;
步骤二、Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜的制备:
采用Bi2FeCrO6靶材,通过脉冲激光沉积系统在所述Bi2WO6薄膜上原位生长Bi2FeCrO6纳米颗粒,得到所述Bi2WO6-Bi2FeCrO6纳米线异质结薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤一中,所述衬底为SrTiO3或0.7wt%Nb:SrTiO3。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤一和所述步骤二中,所述脉冲激光沉积系统的激光器的激光波长248nm,使得所述Bi2WO6陶瓷靶材和所述Bi2FeCrO6靶材表面的激光能量密度为1J/cm2。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤一还包括,在生长所述Bi2WO6薄膜前,先设定所述Bi2WO6薄膜的生长条件,即调整所述靶材的表面与所述脉冲激光沉积系统中加热器的表面之间的距离为50mm,并将所述加热器的温度设定为580-650℃,所述Bi2WO6薄膜的生长环境的氧压设定为10-20Pa。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤一还包括,待所述Bi2WO6薄膜的生长条件稳定后,将激光脉冲频率设定为2-10Hz,并设定脉冲激光数量,以改变所述Bi2WO6薄膜的厚度。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤二还包括,在生长所述Bi2FeCrO6纳米颗粒前,先设定所述Bi2FeCrO6纳米颗粒的生长条件,即将脉冲激光沉积系统中加热器的温度设定为600-700℃,所述Bi2FeCrO6纳米颗粒的生长环境的氧压设定为1-5Pa。
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