[发明专利]一种无机有机杂化化合物晶体[K10

权利要求书

1.一种无机-有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机-有机杂化化合物晶体的化学式为[K₁₀(CuI)₉L₁₀]·xH₂O；L为3-羟基异烟酸；

其中1≤x≤3；

所述无机-有机杂化化合物具有三维结构；

Cu₂I₂簇单元通过铜-碘配位相互连接形成一维碘化亚铜无机链，一维碘化亚铜无机链上的铜原子与3-羟基异烟酸上的吡啶氮原子配位，与金属钾组装形成三维骨架结构；

所述无机-有机杂化化合物晶体属于三斜晶系，属于P-1空间群；

所述无机-有机杂化化合物晶体的晶胞参数为α＝109.55～109.56°，β＝92.65～92.66°，γ＝99.92～99.93°，Z＝2。

2.根据权利要求1所述的无机-有机杂化化合物晶体，其特征在于，

所述无机-有机杂化化合物晶体的晶胞参数为α＝109.555(6)°，β＝92.651(5)°，γ＝99.923(6)°，Z＝2。

3.根据权利要求1所述的无机-有机杂化化合物晶体，其特征在于，所述无机-有机杂化化合物在420nm波长的可见光下的光电流响应峰值为1×10^-9～4×10^-9A。

4.一种权利要求1～3中任意一项所述的无机-有机杂化化合物晶体的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

将含有钾源、3-羟基异烟酸和碘化亚铜的原料与溶剂混合，发生溶剂热反应，得到所述无机-有机杂化化合物晶体；

所述钾源选自碘化钾、溴化钾或氯化钾中的至少一种；

所述溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺，乙腈，与甲醇或乙醇至少一种混合。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述钾源、3-羟基异烟酸和碘化亚铜的质量比为n：2：2；其中1≤n≤5；

所述钾源的质量以碘化钾计；

所述3-羟基异烟酸的质量以3-羟基异烟酸计；

所述碘化亚铜的质量以碘化亚铜计。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂热反应的温度为50～120℃，反应时间为3～8天。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂热反应的温度为80～100℃，反应时间为4～6天。

8.一种半导体材料，其特征在于，含有权利要求1～3中任意一项所述的无机-有机杂化化合物晶体或权利要求4～7中任意一项所述的制备方法制备的无机-有机杂化化合物晶体。

9.一种半导体光电响应器件，其特征在于，所述半导体光电响应器件含有权利要求8所述的半导体材料。