[发明专利]镍铁基非晶合金薄膜及制备方法、应用其的电磁屏蔽膜与设备

说明书

本发明公开了一种镍铁基非晶合金薄膜，其成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V、N，其各元素的质量百分比为：其中：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％。一种镍铁基非晶合金薄膜制备方法为磁控溅射工艺，通过该工艺制备所得的镍铁基非晶合金薄膜可制备有相应的电磁屏蔽膜及设备；采用本发明所述的化学成分(质量百分比)范围和磁控溅射工艺所制备的镍铁基非晶合金薄膜，具有综合磁性能优异的有益技术效果，利用上述镍铁基非晶合金制备的电磁屏蔽膜及设备，满足高性能要求的电子屏蔽材料的应用需求。

技术领域

本发明涉及磁性材料技术领域，尤其涉及一种镍铁基非晶合金薄膜及制备方法、应用其的电磁屏蔽膜与设备。

背景技术

现在市场上的非晶软磁材料主要包括铁基、钴基、镍基等非晶合金以及纳米晶合金。镍铁基非晶具有高磁导率，低矫顽力和低损耗特点，由此使其成为优异的软磁材料。随着科学技术的发展，尤其是信息技术的迅速发展，各行业对各种电子器件会提出越来越高的要求，微型化、高灵敏度、响应快以及高稳定性将是未来的趋势，镍铁基非晶材料将会在工业自动化、汽车电子、信息技术和医疗仪器等诸多领域取得越来越广泛的应用。

镍铁基非晶合金的低损耗、低矫顽力、高磁导率以及高剩磁的特点使其广泛应用在电子设备领域。为了进一步满足电子设备领域对镍铁基非晶合金的要求，需要进一步提高镍铁基非晶合金的磁性能。

目前非晶磁性薄膜的制备多采用化学镀/电镀沉积技术在高电导率的金属箔上沉积非晶态Ni基合金的过程，化学镀/电镀沉积技术易造成环境污染且对合金成分的选择有要求限制；而采用磁控溅射制备非晶磁性薄膜，合金薄膜成分的选择比较宽广且绿色环保。

电磁屏蔽是控制电磁干扰的有效手段，电磁屏蔽材料是电磁屏蔽的重要工具。传统金属及金属基复合材料是最常用的电磁屏蔽材料。按金属材料导电及导磁能力的强弱，分别将其用于屏蔽高频或低频电磁波。铜、铝、银等高电导率金属材料通常用于屏蔽高频电磁波。而静电场及低频磁场通常用高磁导率材料来屏蔽，如纯铁、硅钢、坡莫合金。但是传统金属材料密度大，厚重，柔韧性差，所对应的频带宽度较窄，屏蔽效能有限等问题。

目前，电子产品及设备由于功能需求各异，高频震荡所产生的电磁波含有各种复杂高低频频段共存，传统电磁屏蔽材料难以解决此类复杂电磁兼容问题，因此需要开发一种新型性能更为优秀的电磁屏蔽材料。

发明内容

本发明为克服现有技术的不足而提供一种镍铁基非晶合金薄膜及制备方法、应用其的电磁屏蔽膜与设备。

一种镍铁基非晶合金薄膜，其成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的质量百分比为：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％。

进一步地，其成分还包括C、P、S元素中的任意一种或多种，其各元素的质量百分比为：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％，0﹤X≤5wt％，X为C、P、S元素中的任意一种或多种。

进一步地，其成分还包括B元素，所述B元素的质量百分比为：0≤B≤5wt％。

一种制备上述镍铁基非晶合金薄膜的制备方法，包括以下步骤：

S1、将原料熔炼得到母合金，将所述母合金进行精细加工，得到镍铁基合金靶材；原料的成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的质量百分比为：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％；