[发明专利]镍铁基非晶合金薄膜及制备方法、应用其的电磁屏蔽膜与设备

权利要求书

1.一种镍铁基非晶合金薄膜，其特征在于，其成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的质量百分比为：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％。

2.根据权利要求1所述的镍铁基非晶合金薄膜，其特征在于，其成分还包括C、P、S元素中的任意一种或多种，其各元素的质量百分比为：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％，0﹤X≤5wt％，X为C、P、S元素中的任意一种或多种。

3.根据权利要求1-2任一所述的镍铁基非晶合金薄膜，其特征在于，其成分还包括B元素，所述B元素的质量百分比为：0≤B≤5wt％。

4.一种制备如权利要求1所述的镍铁基非晶合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将原料熔炼得到母合金，将所述母合金进行精细加工，得到镍铁基合金靶材；原料的成分包括Ni、Fe、Mo、Cu、Cr、V，其各元素的质量百分比为：65wt％Ni≤85wt％，10wt％≤Fe≤30wt％，1wt％≤Mo6wt％，0≤Cu≤5wt％，0≤Cr≤5wt％，0≤V≤5wt％；

S2、使基片的温度小于80℃，并在所述镍铁基合金靶材的侧面平行放置接地连接的基片，基片与所述镍铁基合金靶材之间保持距离L，L在2～10cm范围内；采用磁控溅射法在基片上沉积得到非晶态的镍铁基非晶合金；

S3、将脉冲电源功率保持在2～10kw范围内，在基片上进行时间T的金属沉积，使基片上形成镍铁基非晶合金薄膜。

5.根据权利要求3所述的镍铁基非晶合金制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述镍铁基合金靶材的厚度为1～6mm。

6.根据权利要求3所述的镍铁基非晶合金薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S2和步骤S3中，磁控溅射时，基片的沉积温度小于120℃；磁控溅射采用的工作气体为Ar，通入Ar后真空度为1×10^-1～5×10^-1Pa；磁控溅射的工作电流为在4～12A范围内，镀膜的线速度为0.5～5m/min，溅射时间T为5～120min。

7.根据权利要求5所述的镍铁基非晶合金薄膜制备方法，其特征在于，在所述步骤S2和所述步骤S3中，镀膜时工作腔的工作温度保持为25℃～100℃。

8.根据权利要求3所述的镍铁基非晶合金薄膜制备方法，其特征在于，所述镍铁基非晶合金薄膜的厚度为20～2000nm。

9.根据权利要求3所述的镍铁基非晶合金薄膜制备方法，其特征在于，在步骤S1中，将C、P、S元素中的任意一种或多种，制备成纯元素或混合元素靶材，将所述镍铁基合金靶材与纯元素或混合元素靶材的质量按照10：1的比例进行拼接形成组合靶材；在步骤S2中，使基片的温度小于80℃，并在所述组合靶材的侧面平行放置接地连接的基片，基片与所述组合靶材之间保持距离L，L在2～10cm范围内，采用磁控溅射法在基片上沉积得到非晶态的镍铁基非晶合金。

10.根据权利要求8所述的镍铁基非晶合金薄膜制备方法，其特征在于，所述组合靶材的厚度为1～6mm。

11.根据权利要求8所述的镍铁基非晶合金薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S2和步骤S3中，磁控溅射时，基片的沉积温度小于120℃；磁控溅射采用的工作气体为Ar，通入Ar后真空度为1×10^-1～5×10^-1Pa；磁控溅射的工作电流为在4～12A范围内，镀膜的线速度为0.5～5m/min，溅射时间T为5～120min。