[发明专利]芯片到衬底的组装

权利要求书

1.一种方法，包括：

在接合温度下，使用焊料将半导体芯片接合到有机叠层衬底；

在不从所述接合温度冷却至室温的情况下，在底部填充分配温度下，在所述半导体芯片和所述有机叠层衬底之间分配底部填充；以及

在高于所述底部填充分配温度的温度范围内固化所述底部填充。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合在带式炉中完成。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在所述接合之前，在所述半导体芯片和所述有机叠层衬底之间分配挥发性粘性粘合剂的至少两个点；

其中所述接合在甲酸气氛中完成。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括将所述挥发性粘性粘合剂的蒸发温度选择为在从匹配用于将所述半导体芯片接合到所述有机叠层衬底的所述焊料的固相线温度到比该固相线温度低不超过十摄氏度的范围内。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括，在所述接合之前，对所述半导体芯片应用HCl蚀刻，并且在所述接合期间，维持具有100ppm或更小的氧浓度的气氛。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合是使用热压接合工具完成的。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述接合在甲酸气氛下完成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在235℃至245℃下进行接合，在80℃至120℃下进行底部填充分配，和在120℃至160℃下进行底部填充固化。

9.一种方法，包括：

在有机叠层衬底的衬垫上沉积第一焊料；

使半导体芯片的柱上的第二焊料与所述有机叠层衬底的所述衬垫上的所述第一焊料接触；以及

在使所述第二焊料与所述第一焊料接触之后，将所述半导体芯片焊料接合到所述有机叠层衬底。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一焊料具有比所述第二焊料低的熔点。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一焊料具有135℃(摄氏度)至145℃的熔点。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一焊料具有与所述第二焊料相同的熔点。

13.根据权利要求9所述的方法，还包括将所述第一焊料镀覆到所述柱上，其中将所述第一焊料沉积在所述衬垫上包括将所述第一焊料从所述柱回流至所述衬垫。

14.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括将所述第一焊料镀敷到模板管芯上，其中将所述第一焊料沉积在所述衬垫上包括使所述第一焊料从所述模板管芯回流至所述衬垫。

15.一种装置，包括：

半导体芯片，具有从其下表面突出的具有55μm(微米)或更小的栅距的柱，其中所述第一焊料的帽固定到所述柱的下端；

有机叠层衬底，具有以从其上表面突出的具有与所述半导体芯片相同的栅距的衬垫，其中第二焊料的帽固定到所述衬垫的上表面；以及

两个或多个挥发性粘性粘合剂点，将所述有机叠层衬底的所述上表面附着到所述半导体芯片的所述下表面。

16.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第二焊料具有比所述第一焊料低的熔点。

17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述第二焊料具有135℃(摄氏度)至145℃的熔点。

18.根据权利要求15所述的装置，其中，所述第二焊料具有与所述第一焊料相同的熔点。