[发明专利]一种新型射频模块、制作方法及电子设备在审
申请号: | 202111447615.5 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114188287A | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 裘进;王志良;陆原;陈学志 | 申请(专利权)人: | 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/48 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 张桂蓉 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 射频 模块 制作方法 电子设备 | ||
本发明公开了一种新型射频模块、制作方法及电子设备,包括:衬底晶圆;微同轴结构,位于衬底晶圆上;侧墙,位于衬底晶圆上,且围绕微同轴结构设置;射频芯片,倒装在微同轴结构上,射频芯片的信号端与微同轴结构的第一端口连接,盖板晶圆,与衬底晶圆键合,盖板晶圆中设置有第一硅通孔和第二硅通孔,第一硅通孔通过导体柱与微同轴结构的第二端口连接,接地器件,位于射频芯片与盖板晶圆之间,且接地器件的第一端与射频芯片的接地端连接,第二端与第二硅通孔连接。该射频模块在满足高频通信的基础上,还具有较高的气密性,且通过在射频芯片与盖板晶圆之间设置接地器件,使得射频芯片经过盖板晶圆实现接地,提高了射频模块的性能。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种新型射频模块、制作方法及电子设备。
背景技术
电子通信模块日趋向小型化和集成化方向发展。在射频功能模块的集成技术中,对于更高频段的电磁波,尤其是在毫米波和太赫兹频段,减小信号的传输损耗,增加信号隔离度,抑制信号相位畸变,防止信号互相干扰等都成为射频模块集成技术的难点。
现有技术采取的方案有,将微同轴传输线制作在半导体晶圆上,并连接高频器件,形成集成的射频功能模块,传输高频信号,在二维方向扩展,形成电子系统。现有技术虽然初步实现了高频信号在射频器件间传输的集成,但由于仅在二维空间方向进行连接和集成,与外界系统(如pcb等)的接口仍需要利用传统的金打线、sma接口等实现,使得这种射频模块的射频性能(金打线射频性能差)和集成度(sma接口无法集成制造)都不够理想。且现有技术未提及芯片如何背面接地,背面不接地会严重影响芯片的性能。
发明内容
本申请实施例通过提供了一种新型射频模块、制作方法及电子设备,该射频模块在满足高频通信的基础上,还具有较高的气密性,且通过在射频芯片与盖板晶圆之间设置接地器件,使得射频芯片经过盖板晶圆实现接地,提高了射频模块的性能。
第一方面,本发明通过本发明的一实施例提供如下技术方案:
一种新型射频模块,包括:衬底晶圆;微同轴结构,位于所述衬底晶圆上;侧墙,位于衬底晶圆上,且围绕微同轴结构设置;射频芯片,倒装在所述微同轴结构上,所述射频芯片的信号端与所述微同轴结构的第一端口连接,盖板晶圆,与所述衬底晶圆键合,所述盖板晶圆中设置有第一硅通孔和第二硅通孔,所述第一硅通孔通过导体柱与所述微同轴结构的第二端口连接,接地器件,位于所述射频芯片与所述盖板晶圆之间,且所述接地器件的第一端与所述射频芯片的接地端连接,第二端与所述第二硅通孔连接。
优选地,所述接地器件包括相互连接的接地通道与接地背板,所述接地背板与所述射频芯片连接,所述接地通道与所述第二硅通孔连接。
优选地,所述接地背板贴附在所述射频芯片的背面,所述接地通道包括设置在所述衬底晶圆上的第一子通道、第二子通道以及第三子通道,所述第一子通道、第二子通道与第三子通道均位于所述衬底晶圆上,所述第一子通道与所述第二子通道连接,所述第二子通道与所述第三子通道连接,所述接地背板与所述第一子通道连接,所述第三子通道与所述第二硅通孔连接。
优选地,所述接地背板通过所述接地通道贴附在所述盖板晶圆的下表面,所述接地通道与所述第二硅通孔连接。
优选地,所述接地背板为一端宽一端窄的面板。
优选地,所述接地背板为中间宽两端窄的面板。
第二方面,本发明通过本发明的一实施例,提供如下技术方案:
一种新型射频模块的制作方法,包括:
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