[发明专利]一种新型射频模块、制作方法及电子设备在审

专利信息
申请号: 202111447615.5 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114188287A 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 裘进;王志良;陆原;陈学志 申请(专利权)人: 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
主分类号: H01L23/02 分类号: H01L23/02;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/48
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 张桂蓉
地址: 100176 北京市大兴区北京经济技术开发*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 射频 模块 制作方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种新型射频模块,其特征在于,包括:

衬底晶圆;

微同轴结构,位于所述衬底晶圆上;

侧墙,位于所述衬底晶圆上,且围绕所述微同轴结构设置;

射频芯片,倒装在所述微同轴结构上,所述射频芯片的信号端与所述微同轴结构的第一端口连接;

盖板晶圆,与所述衬底晶圆键合,所述盖板晶圆中设置有第一硅通孔和第二硅通孔,所述第一硅通孔通过导体柱与所述微同轴结构的第二端口连接;

接地器件,位于所述射频芯片与所述盖板晶圆之间,且所述接地器件的第一端与所述射频芯片的接地端连接,第二端与所述第二硅通孔连接。

2.如权利要求1所述的射频模块,其特征在于,所述接地器件包括相互连接的接地通道与接地背板,所述接地背板与所述射频芯片连接,所述接地通道与所述第二硅通孔连接。

3.如权利要求2所述的射频模块,其特征在于,所述接地背板贴附在所述射频芯片的背面;

所述接地通道包括设置在所述衬底晶圆上的第一子通道、第二子通道以及第三子通道,所述第一子通道、第二子通道与第三子通道均位于所述衬底晶圆上,所述第一子通道与所述第二子通道连接,所述第二子通道与所述第三子通道连接,所述接地背板与所述第一子通道连接,所述第三子通道与所述第二硅通孔连接。

4.如权利要求2所述的射频模块,其特征在于,所述接地背板通过所述接地通道贴附在所述盖板晶圆的下表面,所述接地通道与所述第二硅通孔连接。

5.如权利要求2所述的射频模块,其特征在于,所述接地背板为一端宽另一端窄的面板。

6.如权利要求2所述的射频模块,其特征在于,所述接地背板为中间宽两端窄的面板。

7.一种新型射频模块的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底晶圆上形成微同轴结构以及围绕所述微同轴结构的侧墙,并在所述微同轴结构上制作垂直于所述衬底晶圆的导体柱;

将射频芯片倒装在所述微同轴结构上,并与所述微同轴结构的第一端口连接;

提供盖板晶圆以及接地器件,所述盖板晶圆中设置有第一硅通孔、第二硅通孔以及与所述第一硅通孔连接的第一信号端口,与所述第二硅通孔连接的第二信号端口,所述第一信号端口用于与所述射频芯片进行信号传输,第二信号端口用于对所述射频芯片进行接地;

将所述衬底晶圆与所述盖板晶圆键合,其中,在键合过程中,在所述盖板晶圆与所述衬底晶圆的射频芯片之间设置所述接地器件,使得所述第一硅通孔通过所述导体柱与所述微同轴结构的第二端口连接,所述接地器件的第一端与所述射频芯片的接地端连接,第二端与所述第二硅通孔连接。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述接地器件包括:相互连接的接地通道与接地背板,所述接地通道包括第一子通道、第二子通道与第三子通道,所述第一子通道、第二子通道与第三子通道均位于所述衬底晶圆上,第一子通道与所述第二子通道连接,所述第二子通道与所述第三子通道连接,所述第三子通道的位置与所述第二硅通孔在所述盖板晶圆上的位置对应,所述将所述衬底晶圆与所述盖板晶圆键合,包括:

将所述接地背板贴附在所述射频芯片的上表面以及所述第一子通道的上表面;

将所述衬底晶圆与所述盖板晶圆键合,使得所述第三子通道与所述第二硅通孔连接。

9.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述接地器件包括:相互连接的接地通道与接地背板,所述接地通道设置在所述盖板晶圆的下表面,与所述第二硅通孔连接,所述将所述衬底晶圆与所述盖板晶圆键合,还包括:

将所述接地背板贴附在所述接地通道的下表面;

将所述衬底晶圆与所述盖板晶圆键合,使得所述接地背板与所述射频芯片连接。

10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-6中任一项所述的射频模块。

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