[发明专利]一种射频模块、制作方法及电子设备

说明书

本发明公开了一种射频模块、制作方法及电子设备，包括：衬底晶圆；微同轴结构，位于衬底晶圆上，射频芯片，倒装在微同轴结构上；侧墙，位于衬底晶圆上，且围绕微同轴结构设置；盖板晶圆，通过侧墙与衬底晶圆键合，盖板晶圆上设置有硅通孔以及与硅通孔连接的信号端口，硅通孔通过导体柱与微同轴结构连接。该射频模块能在满足高频通信的基础上，还具有较高的气密性，从而不仅提高了射频性能，并有效保护了内部器件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种射频模块、制作方法及电子设备。

背景技术

电子通信模块日趋向小型化和集成化方向发展。在射频功能模块的集成技术中，对于更高频段的电磁波，尤其是在毫米波和太赫兹频段，减小信号的传输损耗，增加信号隔离度，抑制信号相位畸变，防止信号互相干扰等都成为射频模块集成技术的难点。

现有技术采取的方案有，将微同轴传输线制作在半导体晶圆上，并连接高频器件，形成集成的射频功能模块，传输高频信号，在二维方向扩展，形成电子系统。现有技术虽然初步实现了高频信号在射频器件间传输的集成，但由于仅在二维空间方向进行连接和集成，与外界系统(如pcb等)的接口仍需要利用传统的金打线、sma接口等实现，使得这种射频模块的射频性能(金打线射频性能差)和集成度(sma接口无法集成制造)都不够理想。

发明内容

本申请实施例通过提供了一种射频模块、制作方法及电子设备，该射频模块能在满足高频通信的基础上，还具有较高的气密性，从而不仅提高了射频性能，并有效保护了内部器件。

第一方面，本发明通过本发明的一实施例提供如下技术方案：

一种射频模块，包括：衬底晶圆；微同轴结构，位于所述衬底晶圆上，射频芯片，倒装在所述微同轴结构上；侧墙，位于所述衬底晶圆上，且围绕所述微同轴结构设置；盖板晶圆，通过所述侧墙与所述衬底晶圆键合，所述盖板晶圆上设置有硅通孔以及与所述硅通孔连接的信号端口，所述硅通孔通过导体柱与所述微同轴结构连接。

优选地，所述衬底晶圆上还设置有引线，所述射频芯片倒装在所述微同轴结构与所述引线上，所述射频芯片的第一端口与所述微同轴结构的端口连接，所述射频芯片的第二端口与所述引线连接，所述盖板晶圆上设置有第一硅通孔、第二硅通孔，与所述第一硅通孔连接的第一信号端口以及与所述第二硅通孔连接的第二信号端口；所述微同轴结构的端口通过第一导体柱与所述第一硅通孔连接，所述引线通过第二导体柱与所述第二硅通孔连接。

优选地，所述硅通孔包括：通孔以及围绕所述通孔的环形孔；所述通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述导体柱的位置对应，用于与所述射频芯片进行信号传输，所述环形孔在所述盖板晶圆上的位置与所述微同轴结构的外导体部分对应，用于对所述微同轴结构进行接地。

优选地，所述硅通孔包括：第一通孔以及第三通孔；所述第一通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述导体柱的位置对应，用于与所述射频芯片进行信号传输，所述第三通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述微同轴结构的外导体对应，用于对所述微同轴结构进行接地。

优选地，所述盖板晶圆的上表面包括焊垫结构与金属植球。

第二方面，本发明通过本发明的一实施例，提供如下技术方案：

一种射频模块的制作方法，包括：

在衬底晶圆上形成微同轴结构以及围绕所述微同轴结构的侧墙，并在所述微同轴结构上制作垂直于所述衬底晶圆的导体柱；将射频芯片倒装在所述微同轴结构上，并与所述微同轴结构的端口连接；提供盖板晶圆，所述盖板晶圆中设置有硅通孔以及与所述硅通孔连接的信号端口，所述信号端口用于与所述射频芯片进行信号传输；将所述盖板晶圆与所述衬底晶圆进行键合，其中，键合后所述硅通孔与所述导体柱连接。