[发明专利]一种射频模块、制作方法及电子设备

权利要求书

1.一种射频模块，其特征在于，包括：

衬底晶圆；

微同轴结构，位于所述衬底晶圆上，

射频芯片，倒装在所述微同轴结构上；

侧墙，位于所述衬底晶圆上，且围绕所述微同轴结构设置；

盖板晶圆，通过所述侧墙与所述衬底晶圆键合，所述盖板晶圆上设置有硅通孔以及与所述硅通孔连接的信号端口，所述硅通孔通过导体柱与所述微同轴结构连接。

2.如权利要求1所述的射频模块，其特征在于，所述衬底晶圆上还设置有引线，所述射频芯片倒装在所述微同轴结构与所述引线上，所述射频芯片的第一端口与所述微同轴结构的端口连接，所述射频芯片的第二端口与所述引线连接，

所述盖板晶圆上设置有第一硅通孔、第二硅通孔、与所述第一硅通孔连接的第一信号端口以及与所述第二硅通孔连接的第二信号端口；

所述微同轴结构的端口通过第一导体柱与所述第一硅通孔连接，所述引线通过第二导体柱与所述第二硅通孔连接。

3.如权利要求1所述的射频模块，其特征在于，所述硅通孔包括：通孔以及围绕所述通孔的环形孔；

所述通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述导体柱的位置对应，用于与所述射频芯片进行信号传输，所述环形孔在所述盖板晶圆上的位置与所述微同轴结构的外导体部分对应，用于对所述微同轴结构进行接地。

4.如权利要求1所述的射频模块，其特征在于，所述硅通孔包括：第一通孔以及第三通孔；

所述第一通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述导体柱的位置对应，用于与所述射频芯片进行信号传输，所述第三通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述微同轴结构的外导体对应，用于对所述微同轴结构进行接地。

5.如权利要求1所述的模块，其特征在于，所述盖板晶圆的上表面包括焊垫结构与金属植球。

6.一种射频模块的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底晶圆上形成微同轴结构以及围绕所述微同轴结构的侧墙，并在所述微同轴结构上制作垂直于所述衬底晶圆的导体柱；

将射频芯片倒装在所述微同轴结构上，并与所述微同轴结构的端口连接；

提供盖板晶圆，所述盖板晶圆中设置有硅通孔以及与所述硅通孔连接的信号端口，所述信号端口用于与所述射频芯片进行信号传输；

将所述盖板晶圆与所述衬底晶圆进行键合，其中，键合后所述硅通孔与所述导体柱连接。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述盖板晶圆与所述衬底晶圆进行键合，包括：

在所述盖板晶圆上制作硅通孔，并在所述盖板晶圆下表面制作金属粘合层，所述金属粘合层的位置与所述侧墙以及所述导体柱的位置对应；

将所述盖板晶圆上的所述金属粘合层与所述衬底晶圆上形成的侧墙以及金属导体柱进行晶圆级键合。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在盖板晶圆上制作硅通孔，包括：

在盖板晶圆上形成通孔以及围绕所述通孔的环形孔，所述通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述导体柱的位置对应；

分别在所述通孔以及所述环形孔中填充导体材料，形成所述硅通孔，所述硅通孔包括通孔导体和环形孔导体，所述通孔导体用于与所述导体柱键合连接，所述环形孔导体与所述微同轴结构的外导体连接，用于将所述微同轴结构接地。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在盖板晶圆上制作硅通孔，包括：

在盖板晶圆上形成第一通孔以及第三通孔，所述第一通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述导体柱的位置对应，所述第三通孔在所述盖板晶圆上的位置与所述微同轴结构的外导体的位置对应；

分别在所述第一通孔以及第三通孔中填充导体材料，形成所述硅通孔，所述硅通孔包括第一硅通孔和第三硅通孔，所述第一硅通孔用于与所述导体柱键合连接，所述第三硅通孔与所述微同轴结构的外导体连接，用于将所述微同轴结构接地。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的射频模块。