[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111445978.5 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114156327A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 张娟;孙孟娜;王鹏;焦志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 丁睿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及显示设备技术领域,公开了一种显示面板及显示装置,该显示面板包括衬底基板和位于衬底基板上的多个有机发光晶体管、绝缘隔断层以及黑矩阵;每个有机发光晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有机发光层、源极和漏极,栅极、栅极绝缘层以及有机发光层层叠设置,源极和漏极与有机发光层电连接,每两个相邻的有机发光层之间具有通过刻蚀工艺形成的间隙;绝缘隔断层填充于间隙中,用于限定每个有机发光晶体管的出光区域;黑矩阵位于多个有机发光晶体管的出光侧,且黑矩阵在衬底基板上的正投影覆盖绝缘隔断层在衬底基板上的正投影。该显示面板能够提高像素分辨率、像素的开口率以及色域。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光晶体管(OLET)是集成了有机场效应晶体管(OFET)的开关功能与有机电致发光器件(OLED)的电致发光功能的器件。OLET器件的工作原理是:栅极电压在控制TFT部分源漏电流的同时,也控制了发光区域的面积与发光强度。OLET器件结构简单、制备工艺成熟、器件轻薄、易于微型化,成为了未来显示技术的发展趋势之一,有必要对其进行深入的研究。
发明内容
本发明提供了一种显示面板及显示装置,上述显示面板中有机发光层之间的间隔减小,有机发光层的面发光区域能够加大,进而能够提高像素分辨率、像素的开口率以及色域。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种显示面板,包括衬底基板和位于所述衬底基板上的多个有机发光晶体管、绝缘隔断层以及黑矩阵;
每个所述有机发光晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有机发光层、源极和漏极,所述栅极、栅极绝缘层以及有机发光层层叠设置,所述源极和漏极与所述有机发光层电连接,每两个相邻的所述有机发光层之间具有通过刻蚀工艺形成的间隙;
所述绝缘隔断层填充于所述间隙中,用于限定每个所述有机发光晶体管的出光区域;
所述黑矩阵位于多个所述有机发光晶体管的出光侧,且所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影覆盖所述绝缘隔断层在所述衬底基板上的正投影。
本发明实施例提供的显示面板中,包括衬底基板和位于衬底基板上的多个有机发光晶体管、绝缘隔断层以及黑矩阵,其中,每个有机发光晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有机发光层、源极和漏极,可以通过刻蚀工艺在每两个相邻的有机发光层之间形成间隙,绝缘隔断层填充于间隙中,通过绝缘隔断层能够限定每个有机发光晶体管的出光区域,而黑矩阵位于有机发光晶体管的出光层,且黑矩阵在衬底基板上的正投影覆盖绝缘隔断层在衬底基板上的正投影,能够避免相邻的有机发光层之间发生串扰。上述显示面板中通过相邻的有机发光层之间的间隙中的绝缘隔断层和覆盖绝缘隔断层的黑矩阵能够用来代替现有技术中的像素界定层和bank等结构,通过刻蚀工艺形成的间隙的宽度小于现有技术中像素界定层的宽度,在制作高分辨率的显示面板时,有机发光层之间的间隔减小,有机发光层的面发光区域能够加大,进而能够提高显示面板的分辨率、像素的开口率以及色域。
可选地,所述绝缘隔断层与位于所述有机发光层背离所述衬底基板一侧的至少一层绝缘层同层设置。
可选地,所述衬底基板为透明基板,所述有机发光层、栅极绝缘层以及栅极依次形成于所述衬底基板上,所述源极和漏极位于所述有机发光层背离衬底基板的一侧;
所述显示面板还包括位于所述栅极背离所述衬底基板一侧的封装层;
所述绝缘隔断层与所述栅极绝缘层同层制备,和/或,所述绝缘隔断层与所述封装层中至少一层同层设置。
可选地,多个有机发光晶体管中的有机发光层为同一种颜色的有机发光层;
所述显示面板还包括位于所述衬底基板背离所述有机发光层一侧的彩膜层,所述彩膜层包括与所述有机发光层一一对应的多个滤光单元,所述黑矩阵位于每两个相邻的所述滤光单元之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的