[发明专利]一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置

说明书

本公开提供了一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。其中，量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，所述量子点发光层和所述量子点附加层在所述量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。在本公开实施例中，量子点附加层的发光效率较低，因此可以对量子点发光层以外的不需要发光的量子点实现发光抑制，使量子点发光基板中不需要发光的量子点无法达到量子点发光层的发光亮度，从而避免了量子点发光基板出现串色。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示技术是继LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示)技术、OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示技术之后颇具潜力的新一代显示技术，其具有色域高、效率高、理论寿命长、工艺制备简单等诸多优点。QLED与OLED在制备工艺上最大的不同在于发光层的图案化工艺，OLED一般用蒸镀法制备有机小分子发光材料，而QLED中的QD发光层因其材料特性只能以溶液法制备，如喷墨打印、光刻或转印。

发明内容

本公开公开了一种量子点发光基板，所述量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，所述量子点发光层和所述量子点附加层在所述量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。

可选地，所述量子点附加层包括量子点子层和淬灭层，所述淬灭层位于所述量子点子层远离所述量子点发光层的一侧，所述淬灭层包括第一淬灭材料，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的能量并抑制所述量子点子层发光。

可选地，所述淬灭层包括多个独立的淬灭区，所述量子点子层包括多个独立的量子点子区，一部分所述淬灭区与至少一个所述量子点子区存在交叠，另一部分所述淬灭区与所述量子点子区位于同层。

可选地，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的载流子并抑制所述量子点子层发光。

可选地，所述第一淬灭材料的导带能级低于所述量子点子层的量子点材料的导带能级。

可选地，所述第一淬灭材料的价带能级高于所述量子点子层的量子点材料的价带能级。

可选地，所述淬灭层的厚度大于或等于0.5纳米，且小于或等于1纳米。

可选地，各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值小于10纳米。

可选地，所述第一淬灭材料被配置为能够与处于激发态的所述量子点子层发生荧光能量共振转移，以将处于激发态的所述量子点子层中的能量转移至所述淬灭层并抑制所述量子点子层发光。

可选地，所述第一淬灭材料的吸收光谱与所述量子点子层的量子点材料的发射光谱存在交叠；

各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值大于或等于1纳米，且小于或等于10纳米。

可选地，所述量子点附加层包括不发光的基态复合物，所述基态复合物由处于基态的量子点与第二淬灭材料反应生成。

可选地，所述处于基态的量子点包括量子点本体和配位在所述量子点本体表面的配体，所述配体被配置为能够与所述第二淬灭材料发生反应，使所述量子点本体具有晶体缺陷而不发光。

可选地，所述量子点发光基板包括多个发光器件，所述量子点发光层包括与所述发光器件一一对应的量子点发光层子区，各所述量子点发光层子区相互独立；