[发明专利]一种量子点发光基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种量子点发光基板，其特征在于，所述量子点发光基板包括衬底、量子点发光层和量子点附加层，所述量子点发光层和所述量子点附加层在所述量子点发光基板的叠层方向上相邻设置，所述量子点发光层的发光效率大于所述量子点附加层的发光效率。

2.根据权利要求1所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点附加层包括量子点子层和淬灭层，所述淬灭层位于所述量子点子层远离所述量子点发光层的一侧，所述淬灭层包括第一淬灭材料，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的能量并抑制所述量子点子层发光。

3.根据权利要求2所述的量子点发光基板，其特征在于，所述淬灭层包括多个独立的淬灭区，所述量子点子层包括多个独立的量子点子区，一部分所述淬灭区与至少一个所述量子点子区存在交叠，另一部分所述淬灭区与所述量子点子区位于同层。

4.根据权利要求3所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料被配置为能够转移处于激发态的所述量子点子层中的载流子并抑制所述量子点子层发光。

5.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料的导带能级低于所述量子点子层的量子点材料的导带能级。

6.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料的价带能级高于所述量子点子层的量子点材料的价带能级。

7.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，所述淬灭层的厚度大于或等于0.5纳米，且小于或等于1纳米。

8.根据权利要求4所述的量子点发光基板，其特征在于，各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值小于10纳米。

9.根据权利要求3所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料被配置为能够与处于激发态的所述量子点子层发生荧光能量共振转移，以将处于激发态的所述量子点子层中的能量转移至所述淬灭层并抑制所述量子点子层发光。

10.根据权利要求9所述的量子点发光基板，其特征在于，所述第一淬灭材料的吸收光谱与所述量子点子层的量子点材料的发射光谱存在交叠；

各所述淬灭区的几何中心与最靠近的所述量子点子区的几何中心之间的距离平均值大于或等于1纳米，且小于或等于10纳米。

11.根据权利要求1所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点附加层包括不发光的基态复合物，所述基态复合物由处于基态的量子点与第二淬灭材料反应生成。

12.根据权利要求11所述的量子点发光基板，其特征在于，所述处于基态的量子点包括量子点本体和配位在所述量子点本体表面的配体，所述配体被配置为能够与所述第二淬灭材料发生反应，使所述量子点本体具有晶体缺陷而不发光。

13.根据权利要求1所述的量子点发光基板，其特征在于，所述量子点发光基板包括多个发光器件，所述量子点发光层包括与所述发光器件一一对应的量子点发光层子区，各所述量子点发光层子区相互独立；

所述量子点附加层位于所述量子点发光层子区远离所述衬底的一侧，和/或所述量子点发光层子区靠近所述衬底的一侧。

14.根据权利要求13所述的量子点发光基板，其特征在于，在所述量子点附加层包括所述量子点子层和所述淬灭层的情况下，在所述衬底上的正投影存在交叠的所述量子点子层与所述量子点发光层子区发射的光的波长不同。