[发明专利]用于处理基板的装置

说明书

本发明构思提供一种基板处理装置。所述基板处理装置包括第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；及第二处理部，其处理在所述第一处理部处已处理的基板，并以单一式处理法对单个基板执行液体处理或干燥处理。

技术领域

本文所述的本发明构思的例示实施方式关于一种用于处理基板的装置。

背景技术

执行诸如光学微影术工序、蚀刻工序、灰化工序、离子植入工序、及薄膜沉积工序的各个工序，以制造半导体装置。在工序中的各者处，使用各种处理液体及处理气体，且在处理工序期间，产生颗粒及工序副产品。为了移除此类薄膜、颗粒、及工序副产品，在各个工序前后执行液体处理。在习知液体处理工序中，在干燥处理之前运用化学品及冲洗液体处理基板。液体处理工序可自基板剥离SiN。

此外，运用化学品及冲洗液体处理基板的方法可大致分为集体处理多个基板的批量式处理法、及一次分别处理一个基板的单一式处理法。

在集体处理多个基板的批量式处理法中，基板处理通过将多个基板集体浸入处理浴中来执行的，在处理浴中，化学品或冲洗液体以垂直姿态储存。为此，基板处理的产量非常突出，且各个基板之间的处理质量是均匀的。然而，在批量式处理法中，在其顶表面上具有图案的多个基板以垂直姿态浸入。因此，当基板上的图案具有高纵横比时，在诸如提升基板的工序期间可能发生图案倾斜现象。此外，若在多个基板暴露于空气之后的短时间内未执行干燥处理，则可在暴露于空气的多个基板中的一些上产生水印。

另一方面，在逐一处理基板的单一式处理法的情况下，通过供应化学品或冲洗液体至以水平姿态旋转的单个基板来执行基板处理。此外，在单一式处理法中，因为转移的基板保持水平姿态，所以上述图案倾斜的风险低，且因为基板经干燥处理、或逐一处理之后立即进行液体处理，所以出现上述水印的风险低。然而，在单一式处理法的情况下，基板处理的产量差，且与批式处理法相比，各个基板之间的处理质量相对不均匀。

此外，当基板旋转并旋转干燥时，若在基板上形成的图案具有高纵横比，则可能出现倾斜现象，其中基板上的图案塌陷。

发明内容

本发明构思的实施方式提供一种用于有效处理基板的基板处理装置。

本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其能改善基板处理的产量。

本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其能改善各个基板之间处理质量的均匀性。

本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其用于最小化在基板上发生水印的风险。

本发明构思的实施方式提供一种用于最小化基板上发生图案倾斜现象的风险的基板处理装置。

本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置，其用于有效地处理具有高纵横比图案的基板。

本发明构思的技术目标不限于上述内容，且其他未提及的技术目标将自以下描述中对本领域技术人员变得显而易见。

本发明构思的实施方式提供一种基板处理装置。基板处理装置包括：第一处理部，其以批量式处理法对多个基板执行液体处理；第二处理部，其处理在第一处理部处已处理的基板，并以单一式处理法对单个基板执行液体处理或干燥处理。

在实施方式中，第一处理部包括第一装载端口单元，在第一装载端口单元上放置储存未处理基板的容器；且第二处理部包括第二装载端口单元，在第二装载端口单元上放置储存经处理基板的容器。

在实施方式中，第一处理部包括批量手，其转移自放置于第一装载端口单元上的容器中转移的多个基板；且第二处理部包括单一手，其转移单个在第一处理部处已经过液体处理的基板。

在实施方式中，第二处理部包括：单一式处理室，其以单一式处理法对基板执行液体处理或干燥处理；及第二缓冲单元，其放置于单一式处理室与第二装载端口单元之间，并暂时储存在单一式处理室处已处理的基板。