[发明专利]用于处理基板的装置在审
| 申请号: | 202111442461.0 | 申请日: | 2021-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN114582751A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 崔峻荣;张奎焕 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;石宝忠 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
第一处理部,其以批量式处理法对多个基板执行液体处理;以及
第二处理部,其处理在所述第一处理部处已处理的所述基板,并以单一式处理法对单个基板执行液体处理或干燥处理。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第一处理部包括第一装载端口单元,在所述第一装载端口单元上放置储存未处理基板的容器;并且所述第二处理部包括第二装载端口单元,在所述第二装载端口单元上放置储存经处理基板的容器。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述第一处理部还包括转移从放置于所述第一装载端口单元上的所述容器中取出的多个基板的批量手;且所述第二处理部包括转移单个在所述第一处理部处已经过液体处理的基板的单一手。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述第二处理部包括:
单一式处理室,其以所述单一式处理法对所述基板执行所述液体处理和/或所述干燥处理;及
第二缓冲单元,其设置于所述单一式处理室与所述第二装载端口单元之间,并暂时储存在所述单一式处理室处已处理的基板。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述第二处理部包括:
单一式处理室,其以所述单一式处理法对所述基板执行所述液体处理和/或所述干燥处理;及
第一缓冲单元,其设置于所述第一处理部与所述单一式处理室之间,并暂时储存在所述第一处理部处已处理的基板。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第一处理部包括:
处理浴,其具有容纳空间以容纳处理液体;
储存容器,其浸没于包含于所述容纳空间中的所述处理液体中并具有用于储存所述基板的储存空间;及
姿态改变构件,其旋转浸没于所述处理液体中的所述储存容器。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中所述姿态改变构件包括:
旋转单元,其可安装于所述储存容器上并旋转所述储存容器;及
移动单元,其安装于所述处理浴上并在水平方向上移动安装于所述旋转单元上的所述储存容器。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中所述处理浴具有带有开口顶部的容器形状,且所述移动单元安装于所述处理浴的侧部上。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中所述移动单元具有倒“U”形,以便所述移动单元可安装于所述处理浴的所述侧部上。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的基板处理装置,其中所述第一处理部还包括提升/降低构件,以在上/下方向上移动由所述姿态改变构件旋转的所述储存容器,且所述提升/降低构件能够附接至所述储存容器及/或从所述储存容器移除。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置,其中所述第二处理部还包括第一缓冲单元,其用于暂时储存在所述第一处理部处已经过液体处理的基板;且所述基板处理装置还包括转移单元,其用于在所述储存容器与所述第一缓冲单元之间转移所述基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其还包括控制器,所述控制器经配置以控制所述转移单元及所述提升/降低构件,以便所述提升/降低构件可向上移动所述储存容器,且暴露于外部的所述基板可自所述储存容器转移至所述第一缓冲单元。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其中所述控制器进一步经配置以控制所述转移单元,使得储存于所述储存容器处的所述基板中的最顶部基板自所述储存容器转移并转移至所述第一缓冲单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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