[发明专利]一种efuse单元、efuse单元的应用电路及efuse阵列

权利要求书

1.一种efuse单元，其特征在于，至少包括：一熔丝、一二极管和一NMOS读选择管；所述熔丝的一端与所述二极管的N极、所述NMOS读选择管的源极相互连接，另一端为所述efuse单元的VL端口；所述二极管的P极为所述efuse单元的BL端口；所述NMOS读选择管的栅极为所述efuse单元的WLR端口；所述NMOS读选择管的漏极为所述efuse单元的SAref端口。

2.一种efuse单元的应用电路，其特征在于，至少包括：

efuse单元；所述efuse单元包括一熔丝、一二极管和一NMOS读选择管；所述熔丝的一端与所述二极管的N极、所述NMOS读选择管的源极相互连接，另一端为所述efuse单元的VL端口；所述二极管的P极为所述efuse单元的BL端口；所述NMOS读选择管的栅极为所述efuse单元的WLR端口；所述NMOS读选择管的漏极为所述efuse单元的SAref端口；

PMOS电源控制管；以及

NMOS字线选择管；

其中，所述efuse单元的VL端口连接所述NMOS字线选择管的漏极；所述efuse单元的BL端口连接所述PMOS电源控制管的漏极和BL线；所述efuse单元的WLR端口接外部控制信号WLR；所述efuse单元的SAref端口连接SA模块。

3.根据权利要求2所述的efuse单元的应用电路，其特征在于，所述NMOS字线选择管的栅极接字控制信号WL，源极接地。

4.根据权利要求2所述的efuse单元的应用电路，其特征在于，所述PMOS电源控制管的源极接编程电压VQPS，栅极接位控制信号BLC。

5.一种efuse阵列，其特征在于，至少包括：

由efuse单元构成的N*N矩阵；所述efuse单元结构包括一熔丝、一二极管和一NMOS读选择管；每个efuse单元中的熔丝的一端与所述二极管的N极、所述NMOS读选择管的源极相互连接；

该N*N矩阵中同一行的所述熔丝的另一端连接一NMOS字线选择管的漏极；

该N*N矩阵中同一列的所述二极管的P极连接一PMOS电源控制管的漏极和一位线BL；

该N*N矩阵中同一行的所述NMOS读选择管的栅极连接一外部控制信号WLR，同一列的所述NMOS读选择管的漏极连接一SA模块。

6.根据权利要求5所述的efuse阵列，其特征在于，所述NMOS字线选择管的栅极接字控制信号WL，源极接地。

7.根据权利要求5所述的efuse阵列，其特征在于，所述PMOS电源控制管的源极接编程电压VQPS，栅极接位控制信号BLC。

8.根据权利要求5所述的efuse阵列，其特征在于，所述efuse阵列的操作包括编程操作和读取操作。

9.根据权利要求8所述的efuse阵列，其特征在于，所述efuse阵列编程操作时采用位模式，读取操作时采用字模式。