[发明专利]一种efuse单元、efuse单元的应用电路及efuse阵列在审
申请号: | 202111441919.0 | 申请日: | 2021-11-30 |
公开(公告)号: | CN114360617A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 黎旺;晏颖 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王关根 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 efuse 单元 应用 电路 阵列 | ||
1.一种efuse单元,其特征在于,至少包括:一熔丝、一二极管和一NMOS读选择管;所述熔丝的一端与所述二极管的N极、所述NMOS读选择管的源极相互连接,另一端为所述efuse单元的VL端口;所述二极管的P极为所述efuse单元的BL端口;所述NMOS读选择管的栅极为所述efuse单元的WLR端口;所述NMOS读选择管的漏极为所述efuse单元的SAref端口。
2.一种efuse单元的应用电路,其特征在于,至少包括:
efuse单元;所述efuse单元包括一熔丝、一二极管和一NMOS读选择管;所述熔丝的一端与所述二极管的N极、所述NMOS读选择管的源极相互连接,另一端为所述efuse单元的VL端口;所述二极管的P极为所述efuse单元的BL端口;所述NMOS读选择管的栅极为所述efuse单元的WLR端口;所述NMOS读选择管的漏极为所述efuse单元的SAref端口;
PMOS电源控制管;以及
NMOS字线选择管;
其中,所述efuse单元的VL端口连接所述NMOS字线选择管的漏极;所述efuse单元的BL端口连接所述PMOS电源控制管的漏极和BL线;所述efuse单元的WLR端口接外部控制信号WLR;所述efuse单元的SAref端口连接SA模块。
3.根据权利要求2所述的efuse单元的应用电路,其特征在于,所述NMOS字线选择管的栅极接字控制信号WL,源极接地。
4.根据权利要求2所述的efuse单元的应用电路,其特征在于,所述PMOS电源控制管的源极接编程电压VQPS,栅极接位控制信号BLC。
5.一种efuse阵列,其特征在于,至少包括:
由efuse单元构成的N*N矩阵;所述efuse单元结构包括一熔丝、一二极管和一NMOS读选择管;每个efuse单元中的熔丝的一端与所述二极管的N极、所述NMOS读选择管的源极相互连接;
该N*N矩阵中同一行的所述熔丝的另一端连接一NMOS字线选择管的漏极;
该N*N矩阵中同一列的所述二极管的P极连接一PMOS电源控制管的漏极和一位线BL;
该N*N矩阵中同一行的所述NMOS读选择管的栅极连接一外部控制信号WLR,同一列的所述NMOS读选择管的漏极连接一SA模块。
6.根据权利要求5所述的efuse阵列,其特征在于,所述NMOS字线选择管的栅极接字控制信号WL,源极接地。
7.根据权利要求5所述的efuse阵列,其特征在于,所述PMOS电源控制管的源极接编程电压VQPS,栅极接位控制信号BLC。
8.根据权利要求5所述的efuse阵列,其特征在于,所述efuse阵列的操作包括编程操作和读取操作。
9.根据权利要求8所述的efuse阵列,其特征在于,所述efuse阵列编程操作时采用位模式,读取操作时采用字模式。
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