[发明专利]无限层镍基超导体前驱物Nd1-x

说明书

本发明提供一种无限层镍基超导体前驱物Ndsubgt;1‑x/subgt;Srsubgt;x/subgt;NiOsubgt;3/subgt;的制备方法，其包括如下步骤：(1)将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温并置于富氧环境中，以进行退火处理；(2)对步骤(1)中退火处理后的产品进行降温，制得无限层镍基超导体前驱物Ndsubgt;1‑/subgt;subgt;x/subgt;Srsubgt;x/subgt;NiOsubgt;3/subgt;，其中x为大于0小于等于0.33。本发明的方法操作简洁方便并且能够提高样品性质稳定，以及保证生长样品的重复性高。

技术领域

本发明属于材料领域。具体地，本发明涉及无限层镍基超导体前驱物Nd_1-xSr_xNiO₃的制备方法。

背景技术

无限层镍基超导体Nd_0.8Sr_0.2NiO₂通过氢化还原钙钛矿型氧化物薄膜Nd_0.8Sr_0.2NiO₃实现超导电性，但生长得到这种Nd_0.8Sr_0.2NiO₃前驱物非常困难，往往非常容易得到Ruddlesden-Popper(RP)相(Nd_0.8Sr_0.2)₂NiO₄结构，甚至会有偏析严重的NiO的形成。一般通过判断脉冲激光沉积薄膜的X射线衍射(002)的峰位大于48°和存在(001)衍射峰来确认合成Nd_0.8Sr_0.2NiO₃的结构。通过采用改变生长过程中的氧气氛围，或者改变激光光斑的面积大小，或者通过抛光多晶靶材来保证生长过程中的化学计量比，例如Lee，K.；Goodge，B.H.Aspects of the synthesis of thin film superconducting infinite-layernickelates,APL Mater,2020,8,(041107)，其公开了通过抛光多晶靶材，改变激光光斑的面积大小来保证生长得到Nd_0.8Sr_0.2NiO₃。这些现有的技术手段过程复杂，得到的样品重复性不高，且样品质量不均一。

基于此，目前需要一种可以大大降低操作的繁琐程度以及提高样品性质稳定并且保证生长样品重复性高的新方法来获得无限层镍基超导体前驱物Nd_0.8Sr_0.2NiO₃。

发明内容

本发明的目的在于提供一种操作简洁方便以及能够提高样品性质稳定并且保证生长样品重复性高的获得无限层镍基超导体前驱物Nd_0.8Sr_0.2NiO₃的方法。

本发明的上述目的是通过如下技术方案进行的。

本发明提供一种无限层镍基超导体前驱物Nd_1-xSr_xNiO₃的制备方法，其包括如下步骤：

(1)将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温并置于富氧环境中，以进行退火处理；

(2)对步骤(1)中退火处理后的产品进行降温，制得无限层镍基超导体前驱物Nd_1-xSr_xNiO₃，其中x为大于0小于等于0.33。