[发明专利]无限层镍基超导体前驱物Nd1-x 有效
| 申请号： | 202111438410.0 | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN114380340B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 金奎娟;杨明卫;杨镇;郭尔佳;葛琛;王灿;何萌;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;H10N60/01 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无限 层镍基 超导体 前驱 nd base sub | ||
1.一种无限层镍基超导体前驱物Nd1-xSrxNiO3的制备方法，其包括如下步骤：
(1)将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温并置于富氧环境中，以进行退火处理；
(2)对步骤(1)中退火处理后的产品进行降温，制得无限层镍基超导体前驱物Nd1-xSrxNiO3，其中x为大于0小于等于0.33；
所述步骤(1)中的升温是在如下条件下进行的：
将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温至450-550℃并保持5-20分钟；
所述富氧环境的氧压为500-5000Pa；
所述步骤(1)中的退火处理进行30分钟至3小时。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(1)中的升温是在如下条件下进行的：
将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温至500-550℃并保持10-15分钟。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述步骤(1)中的升温是在如下条件下进行的：
将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升温至500℃并保持10分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述富氧环境的氧压为500-1000Pa。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(1)中的退火处理进行1小时至2小时。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(2)中的降温是在如下条件下进行的：降温速率为5-20℃/min。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤(2)中的降温是在如下条件下进行的：降温速率10-15℃/min。
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