[发明专利]一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法

说明书

一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法，包括：建立缺陷数据库系统，所述缺陷数据库系统内存储晶圆的各类缺陷数据；当出现不合格项晶圆时，将所述不合格项晶圆的缺陷信息与所述缺陷数据库系统内存储的晶圆之各类缺陷数据进行比较，以确定所述不合格项晶圆的缺陷特征；将所述不合格项晶圆的前后晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对，以确定受影响晶圆的缺陷状况，进而输出受影响批次的晶圆。本发明不仅能够实时监控缺陷状态，并提高检查效率，而且可以实现在线缺陷受影响晶圆的全自动及时有效输出。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，半导体器件的线宽越来越小，在晶圆制造过程中缺陷已经成为制约良率提升的关键因素之一，故对缺陷的重视程度越来越高。

目前，FAB对缺陷监测常用的方法为多开扫描站点，通过抽样的方式来进行监控，如果抽样到不合格项晶圆，就需要针对不合格项晶圆的生产设备进行前后多批次缺陷状况检查。但是，现阶段对该缺陷状况进行多批次检查均为人工进行判断，明显地存在时效性极的问题。

寻求一种能够实时监控缺陷状态，并提高检查效率，而且可以实现在线缺陷受影响晶圆的全自动及时有效输出的方法已成为本领域技术人员亟待解决的技术问题之一。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，传统的多批次缺陷状况检查均为人工进行判断，明显地存在时效性极差等缺陷提供一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法，所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法，包括：

行步骤S1：建立缺陷数据库系统，所述缺陷数据库系统内存储晶圆的各类缺陷数据；

执行步骤S2：当出现不合格项晶圆时，将所述不合格项晶圆的缺陷信息与所述缺陷数据库系统内存储的晶圆之各类缺陷数据进行比较，以确定所述不合格项晶圆的缺陷特征；

执行步骤S3：将所述不合格项晶圆的前后晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对，以确定受影响晶圆的缺陷状况，进而输出受影响批次的晶圆。

可选地，所述不合格项晶圆的前后晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对，所述前后晶圆自所述不合格项晶圆采用由近及远的原则进行判断。

可选地，所述前后晶圆的选取判断最少为所述不合格项晶圆的前后各10批次，最多为所述不合格项晶圆的前后各30批次。

可选地，所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法，进一步包括：

执行步骤S31：当所述不合格项晶圆的前后第一档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对时，若缺陷特征比对不一致，则判断受影响晶圆为合格晶圆；若缺陷特征比对一致，则判断受影响晶圆为不合格项晶圆，并继续对所述不合格项晶圆的前后第二档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对；

执行步骤S32：当所述不合格项晶圆的前后第二档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对时，若缺陷特征比对不一致，则判断受影响晶圆为合格晶圆；若缺陷特征比对一致，则判断受影响晶圆为不合格项晶圆，并继续对所述不合格项晶圆的前后第三档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对；

执行步骤S33：当所述不合格项晶圆的前后第三档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对时，若缺陷特征比对不一致，则判断受影响晶圆为合格晶圆；若缺陷特征比对一致，则停止循环，判断受影响晶圆为当前高亮批次。