[发明专利]一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法在审
申请号: | 202111437347.9 | 申请日: | 2021-11-29 |
公开(公告)号: | CN114141667A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 韩俊伟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 周耀君 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 全自动 及时 有效 输出 在线 缺陷 影响 方法 | ||
1.一种全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,包括:
行步骤S1:建立缺陷数据库系统,所述缺陷数据库系统内存储晶圆的各类缺陷数据;
执行步骤S2:当出现不合格项晶圆时,将所述不合格项晶圆的缺陷信息与所述缺陷数据库系统内存储的晶圆之各类缺陷数据进行比较,以确定所述不合格项晶圆的缺陷特征;
执行步骤S3:将所述不合格项晶圆的前后晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对,以确定受影响晶圆的缺陷状况,进而输出受影响批次的晶圆。
2.如权利要求1所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述不合格项晶圆的前后晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对,所述前后晶圆自所述不合格项晶圆采用由近及远的原则进行判断。
3.如权利要求2所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述前后晶圆的选取判断最少为所述不合格项晶圆的前后各10批次,最多为所述不合格项晶圆的前后各30批次。
4.如权利要求1所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,进一步包括:
执行步骤S31:当所述不合格项晶圆的前后第一档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对时,若缺陷特征比对不一致,则判断受影响晶圆为合格晶圆;若缺陷特征比对一致,则判断受影响晶圆为不合格项晶圆,并继续对所述不合格项晶圆的前后第二档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对;
执行步骤S32:当所述不合格项晶圆的前后第二档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对时,若缺陷特征比对不一致,则判断受影响晶圆为合格晶圆;若缺陷特征比对一致,则判断受影响晶圆为不合格项晶圆,并继续对所述不合格项晶圆的前后第三档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对;
执行步骤S33:当所述不合格项晶圆的前后第三档晶圆扫描结果与所述不合格项晶圆的缺陷特征进行分析比对时,若缺陷特征比对不一致,则判断受影响晶圆为合格晶圆;若缺陷特征比对一致,则停止循环,判断受影响晶圆为当前高亮批次。
5.如权利要求4所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述不合格项晶圆前后的第一档晶圆为所述不合格项晶圆前后的1~10批次,所述不合格项晶圆前后的第二档晶圆为所述不合格项晶圆前后的11~20批次,所述不合格项晶圆前后的第三档晶圆为所述不合格项晶圆前后的21~30批次。
6.如权利要求1所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述晶圆的各类缺陷数据为缺陷种类、缺陷类型、缺陷图像、缺陷尺寸、缺陷X射线能谱分析图谱、缺陷的制造设备。
7.如权利要求1所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述受影响晶圆缺陷状况的判断方法,进一步包括:
执行步骤S21:在出现高亮缺陷通知时,进行缺陷分布判断,确定缺陷为随机型或是特殊型;
执行步骤S22:对特殊型的缺陷类型进行分类,确定缺陷为重复型、团簇型、或是线型、弧形、环型;
执行步骤S23:对随机型缺陷和团簇型缺陷中不合格项晶圆数量大于1的情况,采用第一规则进行缺陷状况判断;对线型、弧形、环型缺陷和团簇型缺陷中不合格项晶圆数量等于1的情况,采用第二规则进行缺陷状况判断。
8.如权利要求7所述全自动及时有效输出在线缺陷受影响晶圆的方法,其特征在于,所述第一规则为本地模式方式,第二规则为特殊图形报警规则。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造