[发明专利]一种提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法

权利要求书

1.一种提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，所述提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法通过在多晶硅层刻蚀前涂布底层抗反射涂层，并采用回刻工艺降低Nor Flash存储区的多晶硅层，同时缩小所述Nor Flash存储区和外围区交界处的高度差。

2.权利要求1所述提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，所述提升Nor Flash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，包括：

执行步骤S1：在Nor Flash的多晶硅层刻蚀前，对所述Nor Flash的存储区和外围区之多晶硅层上涂布底层抗反射涂层，实现表面平坦化；

执行步骤S2：在所述Nor Flash之底层抗反射涂层上涂布光阻层，并显影显开NorFlash之存储区的光阻层，位于所述Nor Flash之外围区的光阻层对所述外围区进行保护；

执行步骤S3：采用等离子工艺对所述存储区的底部抗反射涂层进行硬化处理；

执行步骤S4：对经过硬化处理的底部抗反射涂层之表层进行刻蚀；

执行步骤S5：对经过刻蚀后的底部抗反射涂层进一步进行固化处理，并在所述NorFlash的凹陷区域形成固化保护层；

执行步骤S6：采用六氟化硫气体、氮气、四氟化碳气体、氦气的混合气体，刻蚀打开所述多晶硅层表面氧化层；

执行步骤S7：对所述Nor Flash存储区的多晶硅层进行回刻，以降低所述Nor Flash存储区的多晶硅层之厚度；

执行步骤S8：去除所述Nor Flash凹陷区域的底部抗反射涂层和外围区的光阻层，获得平坦化的交界面。

3.如权利要求2所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，在步骤S3中对底部抗反射涂层进行硬化处理的等离子工艺气体采用溴化氢气体，流量为50～150sccm，能量源提供的功率为800～1200W，表面进行硬化处理的时长为5～10s。

4.如权利要求2所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，在步骤S4中底部抗反射涂层之表层进行刻蚀采用的工艺气体为四氟化碳气体，流量为50～100sccm，能量源提供的功率为200～300W，偏压为200～300V，刻蚀时长为15～20s。

5.如权利要求2所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，在步骤S5中对经过刻蚀后的底部抗反射涂层进一步进行固化处理，等离子工艺气体采用溴化氢气体，流量为50～150sccm，能量源提供的功率为800～1200W，表面进行硬化处理的时长为5～10s。

6.如权利要求2所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，在步骤S6中所述六氟化硫气体的流量为10～15sccm，所述氮气的流量为10～15sccm，所述四氟化碳气体的流量为50～100sccm，所述氦气的流量为300～500sccm，所述等离子工艺能量源提供的功率为150～200W，所述偏压为100～200V，刻蚀时长为5s。

7.如权利要求2所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，在步骤S7中采用干法等离子体工艺对所述多晶硅层进行刻蚀，干法等离子体工艺的工艺气体采用流量为100～150sccm的溴化氢气体，流量为2～6sccm的氧气，以及流量为30～50sccm的氯气，所述等离子工艺能量源提供的功率为200～300W，所述偏压为50～100V，刻蚀时长为10～15s。

8.如权利要求2所述提升NorFlash多晶硅刻蚀及介质层填充工艺窗口的方法，其特征在于，在步骤S8中采用氧气去除所述Nor Flash凹陷区域的底部抗反射涂层和外围区的光阻层。