[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板在审
| 申请号: | 202111430612.0 | 申请日: | 2021-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN114141705A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
| 发明(设计)人: | 鲜济遥;周佑联;许哲豪;康报虹 | 申请(专利权)人: | 北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
| 地址: | 536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大*** | 国省代码: | 广西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括步骤:
提供一玻璃衬底;
在所述玻璃衬底上形成多个纳米级凹坑;
在所述玻璃衬底对应所述纳米级凹坑的区域形成金属层;
形成阵列基板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述玻璃衬底上形成多个纳米级凹坑的步骤中,包括:
提供一氟化氢溶液;
将氟化氢溶液喷射到所述玻璃衬底上;
经预设时间后,所述玻璃衬底形成多个纳米级凹坑;
清洗所述玻璃衬底。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述将氟化氢溶液喷射到所述玻璃衬底上的步骤中,包括:
提供一高速气流;
将所述氟化氢溶液在所述高速气流作用下,经喷嘴喷射出;
形成纳米级氟化氢雾滴,所述纳米级氟化氢雾滴喷射到所述玻璃衬底上。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述将所述氟化氢溶液在高速气流作用下,经喷嘴喷射出的步骤中,包括:
所述喷嘴处设置加热单元,将所述氟化氢溶液在所述高速气流作用下,经喷嘴加热后喷射出。
5.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述将氟化氢溶液喷射到所述玻璃衬底上的步骤中,包括:
遮挡所述玻璃衬底的非绑定区;
仅将所述氟化氢溶液喷射到所述玻璃衬底上的绑定区域。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述遮挡所述玻璃衬底的非绑定区的步骤中,包括:
在所述玻璃衬底上涂布光刻胶;
曝光显影后去除玻璃衬底的绑定区的光刻胶;
对应所述玻璃衬底的非绑定区的光刻胶保留。
7.一种阵列基板,包括玻璃衬底和设置在所述玻璃衬底上的金属层,其特征在于,所述阵列基板采用上述权利要求1-6任意一项所述的阵列基板的制作方法形成,所述玻璃衬底上设置有纳米级凹坑,所述金属层对应所述纳米级凹坑的区域设置,且所述金属层与所述玻璃衬底直接接触。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述纳米级凹坑的半径在10纳米至50纳米之间,所述纳米级凹坑的密度为100-1000个/每平方微米。
9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述显示面板被划分为显示区和非显示区,所述非显示区包括绑定区,所述玻璃衬底仅对应所述绑定区设置有纳米级凹坑。
10.一种显示面板,其特征在于,包括彩膜基板和如权利要求7-9任意一项所述的阵列基板,所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





