[发明专利]杂交玉米制种的去雄保质方法

说明书

本发明公开了杂交玉米制种的去雄保质方法，采用本发明方法‑母本与父本错期插播的播种方式，先播母本，母本播后第3‑5天在两行母本之间插播一行父本，解决父本和母本花期不遇，授粉率和结实率低的问题；在杂交自然授粉后，进行去雄处理，使母本充分接受父本花粉，提高制种育种速度和育种成功率。采用本发明对玉米种子进行多代低温处理，培育耐低温性能的优质杂交玉米种，制得的玉米种可以在日平均气温低于8℃的条件下进行播种，抵御外界不良环境能力和适应环境条件能力提高。

技术领域

本发明涉及玉米栽培技术领域，具体涉及高垄覆膜栽培玉米的方法。

背景技术

玉米(Zea mays L.)是重要的粮食作物，是我国重要的战略储备物资之一。伴随着国家政策对玉米种子产业的重视程度提高，提高玉米制种量和制种面积是目前我国粮食安全的只要发展方向之一。

任何农作物的生长发育成熟都需要一定的积温，玉米也一样。植物需要高于生长活动所需要温度才能正常发育，而积温指的是植物在整个生育期内的有效温度的总和。通常在种植玉米时的积温来源通常为在一定时间内自然条件下的温度，为了保证种子萌发，通常会使用大田薄膜来保温，使玉米种子获得足够有效积温促进萌发。玉米种子萌动气温约5℃以上，玉米正常发芽生长气温在至少在8℃以上。目前常规玉米制种为播种准备的塘通常为3cm深，播种后直接在塘的上方覆膜，但此方法仅能够满足晚春、夏季播种的玉米制种，无法为温度低于8℃的低温时期，如冬季、早春时节播种提供足够积温保障。尽管在国家政策导向下，对提高玉米制种量的呼声很高，但目前粮食作物耕地面积有限，对扩大制种量有很大的限制。加上近年来极端气候出现频率上升，一些地区会出现意料之外的反季异常低温现象，使得玉米制种生产风险大大增加。

发明内容

为解决上述背景技术中的问题，本发明的目的在于提供一种杂交玉米制种的去雄保质方法。

为实现如上目的，本发明具体的技术方案如下：

杂交玉米制种的去雄保质方法，包括以下步骤：

1)低温栽培：选择海拨在800-1200米试验田进行玉米栽培，分别对耐低温玉米母本和玉米父本播种，采用夹层式的插行播种方式，每两行玉米母本之间播一行玉米父本；

玉米母本之间的行间距在40-50cm，母本播种比父本播种提前3-5天，使父母本出花期相同；

2)去雄：抽穗期玉米母本去雄，雄穗露出顶叶6-7cm且还没有散粉时进行去雄处理，采用隔株方式进行去雄。

进一步地，在插行播种之前还包括对玉米杂交种进行多代优化处理：

1)对一半玉米杂交种进行去雄处理，作为F1代母本；对另一半进行去雌处理，作为F1 代父本；

2)低温播种栽培：选择海拨温度在0-8℃的试验田，分别将F1代母本和F1代父本播种，采收F1代父本植株的花粉对F1代母本的植株进行人工授粉；

3)进过低温栽培获得F2代玉米杂交种，筛选优质种子，再将玉米杂交种对半进行去雄、去雌处理，分别作为F2代母本、F2代父本；

4)重复步骤2)、3)，进行多代育种处理，获得耐低温玉米母本与玉米父本。

更进一步地，将获得的耐低温玉米母本与玉米父本进行耐冷性评价，筛选得到耐低温性能显著提高的优良杂交玉米种。

进一步地，所述步骤二中母本去雄的方法为：母本雄穗尚未露出顶叶时，将顶叶剥开将雄穗拔除或连同顶叶一起将雄穗拔除。

与已有技术相比，本发明有益效果体现在：