[发明专利]杂交玉米制种的去雄保质方法

权利要求书

1.杂交玉米制种的去雄保质方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)低温栽培：选择海拨在800-1200米试验田进行玉米栽培，分别对耐低温玉米母本和玉米父本播种，采用夹层式的插行播种方式，每两行玉米母本之间播一行玉米父本；

玉米母本之间的行间距在40-50cm，母本播种比父本播种提前3-5天，使父母本出花期相同；

2)去雄：抽穗期玉米母本去雄，雄穗露出顶叶6-7cm且还没有散粉时进行去雄处理，采用隔株方式进行去雄。

2.根据权利要求1所述的杂交玉米制种的去雄保质方法，其特征在于，在插行播种之前还包括对玉米杂交种进行多代优化处理：

1)对一半玉米杂交种进行去雄处理，作为F1代母本；对另一半进行去雌处理，作为F1代父本；

2)低温播种栽培：选择海拨温度在0-8℃的试验田，分别将F1代母本和F1代父本播种，采收F1代父本植株的花粉对F1代母本的植株进行人工授粉；

3)进过低温栽培获得F2代玉米杂交种，筛选优质种子，再将玉米杂交种对半进行去雄、去雌处理，分别作为F2代母本、F2代父本；

4)重复步骤2)、3)，进行多代育种处理，获得耐低温玉米母本与玉米父本。

3.根据权利要求2所述的杂交玉米制种的去雄保质方法，其特征在于，将获得的耐低温玉米母本与玉米父本进行耐冷性评价，筛选得到耐低温性能显著提高的优良杂交玉米种。

4.根据权利要求1所述的杂交玉米制种的去雄保质方法，其特征在于：所述步骤二中母本去雄的方法为：母本雄穗尚未露出顶叶时，将顶叶剥开将雄穗拔除或连同顶叶一起将雄穗拔除。