[发明专利]一种晶体管的测试电路及控制方法

说明书

本申请属于半导体测试领域，具体提供了一种晶体管的测试电路以及该电路的控制方法。其中，该晶体管的测试电路包括：由至少两条电源子支路并联组成的电源支路；由第一二极管和第一开关并联组成的开关支路；由第二二极管、电感和第四开关并联组成的保护支路；待测晶体管；以及第三二极管；其中，电源支路的正极端与开关支路的负极端连接；开关支路的正极端与保护电路的负极端连接；保护电路的正极端与待测晶体管的集电极连接；待测晶体管的发射极分别与电源支路的负极端、第三二极管的负极连接；第三二极管的正极与电源支路的负极端连接。基于本发明提供的技术方案，可以在不更换器件的情况下，快速实现在变母线电压的情况下对晶体管的测试。

技术领域

本发明涉及半导体测量技术领域，特别是指一种晶体管的测试电路及控制方法。

背景技术

在变流系统中，晶体管应用十分广泛，例如，可以应用于高压变频器、高压静止无功发生器、机车车辆牵引变流器、风力发电变流器中。由于晶体管的应用如此广泛，随之而来的是晶体管的种类、厂家越来越多，因此，对晶体管的性能测试变得尤为重要。

在晶体管的产品手册中，用于描述晶体管的性能的参数有静态参数和动态参数，其中，对于静态参数的测量相对简单，但是对于动态参数(例如：开通延时时间Tdon、电流上升时间Tr、关断延时时间Tdoff、电流下降时间Tf、开通损耗Eon以及关断损耗Eoff等)的测试就较为复杂。在目前常见的晶体管测试设备中，为了提升载流能力，母线电容容量一般都设置的比较大，因此在测试过程中无法快速改变母线的电压，针对测试过程中需要改变母线电压的情况，需要等待很长时间才能完成，造成了测试效率低下的问题。

发明内容

鉴于现有技术的以上问题，本发明提供一种晶体管的测试电路，可以快速改变测试过程中的母线电压，提高测试效率。

为达到上述目的，本发明第一方面提供一种晶体管的测试电路，包括：由至少两条电源子支路并联组成的电源支路；由至少两条电源子支路并联组成的电源支路；由第一二极管和第一开关并联组成的开关支路；由第二二极管、电感和第四开关并联组成的保护支路；待测晶体管；以及第三二极管；其中，所述电源支路的正极端与所述开关支路的负极端连接；所述开关支路的正极端与所述保护电路的负极端连接；所述保护电路的正极端与所述待测晶体管的集电极连接；所述待测晶体管的发射极分别与所述电源支路的负极端、所述第三二极管的负极连接；所述第三二极管的正极与所述电源支路的负极端连接。

由上，通过设计由至少两条电源子支路并联组成的电源支路，可以通过改变该至少两条电源子支路的接入状态实现变电压，以模拟测试过程中的母线变电压过程，进而提高测试效率。另外，通过设计第一二极管和第三二极管，可以降低整个测试电路中的寄生电感。

作为第一方面一种可能的实现方式，所述电源子支路包括：并联的电源和电容、以及控制所述并联的电源和电容通断的开关。

由上，可以通过控制电源子支路中相应的开关来控制该子支路是否接入测试电路中，以实现变电压的目的。

作为第一方面一种可能的实现方式，还包括：控制支路，用于控制所述电源支路、所述开关支路、所述保护支路、以及所述待测晶体管的通断；其中，所述控制支路通过控制所述电源子支路中的开关来控制所述电源支路的通断；所述控制支路通过控制所述开关支路中的所述第一开关来控制所述开关支路的通断；所述控制支路通过控制所述保护支路中的所述第四开关来控制所述保护支路的通断；所述控制支路通过控制所述待测晶体管的栅极来控制所述待测晶体管的通断。

由上，该控制支路可以发射控制脉冲，以实现对测试电路中可控器件的控制。

作为第一方面一种可能的实现方式，所述控制支路还用于控制所述电源支路中电源的大小。

作为第一方面一种可能的实现方式，还包括：在所述至少两条电源子支路中，各电源子支路的电压不同。