[发明专利]一种高效电池生产工艺及设备在审
申请号: | 202111418749.4 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN114121732A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 马世猛;代智杰;周广福 | 申请(专利权)人: | 苏州昶明微电子科技合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18;C23C28/00 |
代理公司: | 北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙) 11825 | 代理人: | 黄照 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 电池 生产工艺 设备 | ||
本发明公开了一种高效电池生产工艺及设备,包括以下步骤:硅片由进出口腔室进入设备,保持真空状态,将硅片送进第一PECVD腔室进行正面镀iP层;将硅片送入翻片腔室进行翻片后,由传送腔室送入第二PECVD腔室进行反面镀iN层;将硅片进入PVD腔室进行反面镀膜;将硅片送入翻片腔室进行翻片后,进入PVD腔室进行正面镀膜;将硅片送入蒸镀腔室进行镀膜,本发明集叠层电池生产的各个工序于一体,使其可以在一个设备里面,不破真空的条件下完成各种工艺工序,解决电池片在各工艺设备之间流转时由于暴露大气造成的氧化及污染问题,电池具有更高的效率,同时设备运行灵活,可以完成整个或部分流程,提高研发及生产效率,降低研发成本。
技术领域
本发明涉及电池制备领域,尤其涉及一种高效电池生产工艺及设备。
背景技术
高效太阳电池制备过程复杂,需要多个设备、多种工序的配合,硅片清洗制绒流→硅片正面镀膜→硅片翻面→硅片反面镀膜→正面PVD镀膜→硅片翻面→反面PVD镀膜→钙钛矿镀膜等,制备过程复杂,需要多种工艺设备、多道工序相互配合,硅片需要流转多台工艺设备。
硅片在完成一道镀膜工序后,需要流转至下一台工艺设备等待进行下一道的镀膜工艺,在硅片流转及等待进入工艺设备的时候,硅片暴露于大气中,会造成膜层氧化及污染的问题出现,而影响电池片的效率;同时流程的繁琐会影响生产的效率,尤其对研发设备而言,会造成研发的时间增加,增加研发成本。
发明内容
本发明克服了现有技术的不足,提供一种高效电池生产工艺及设备。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案为:一种高效电池生产工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1:硅片由进出口腔室进入设备,保持真空状态,将硅片送进第一PECVD腔室进行正面镀iP层;S2:将硅片送入翻片腔室进行翻片后,由传送腔室送入第二PECVD腔室进行反面镀iN层;S3:将硅片进入PVD腔室进行反面镀膜;S4:将硅片送入翻片腔室进行翻片后,进入PVD腔室进行正面镀膜;S5:将硅片送入蒸镀腔室进行镀膜。
本发明一个较佳实施例中,硅片放置在载板上进行腔室转移。
本发明一个较佳实施例中,通过传送腔室对载板以及硅片进行转移。
本发明一个较佳实施例中,硅片由进出口腔室进入设备后,关闭进出口腔室,设备抽真空。
本发明一个较佳实施例中,在蒸镀腔室镀膜完成后,由进出口腔室送出硅片进行电池后续工序。
本发明还提供了一种高效电池生产设备,其特征在于,包括:一个进出口腔室、两个PECVD腔室、一个蒸镀腔室、一个翻片腔室、一个传送腔室及一个预留腔室。
本发明解决了背景技术中存在的缺陷,本发明具备以下有益效果:
本发明中多工艺、多功能设备混合集成,集成度高;通过一台设备可以完成叠层高效电池的所有镀膜工艺,在同一个设备中制备叠层电池,没有暴露大气氧化及污染的问题,电池生产效率高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图;
图1是本发明的优选实施例的工艺流程图;
图2是本发明的优选实施例的设备结构示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州昶明微电子科技合伙企业(有限合伙),未经苏州昶明微电子科技合伙企业(有限合伙)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造