[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111415719.8 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114664890A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 郑德永 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李德山;崔俊红 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开内容提供了一种显示装置。该显示装置包括:第一区域,在该第一区域中设置有一个或更多个第一像素;以及被第一区域围绕的第二区域,在该第二区域中设置有一个或更多个第二像素。第二区域包括与第一传感器对应的第一传感器区域以及与第二传感器对应的第二传感器区域,并且第一传感器区域包括第一阻挡层,并且第二传感器区域包括与第一阻挡层不同的第二阻挡层。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0181809号的优先权权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开内容涉及显示装置。
背景技术
被配置成在显示屏上显示各种信息或数据的图像显示装置用作信息通信时代的核心装置。显示装置变得更薄、更轻,并且正在发展为在便携的同时具有高的性能。对用于显示图像的显示装置的各种需求增加,并且近来,已经开发和利用了各种类型的显示装置,例如液晶显示装置、有机发光显示装置、量子点发光显示装置等。
此外,显示装置配备有使用触摸传感器等的输入单元和诸如摄像装置、接近传感器等的光学单元,以便向用户提供更多样化的应用功能。然而,由于光学单元到显示装置的附接,存在显示装置的设计变得困难的问题。特别地,由于为了光的入射和出射,需要将摄像装置和接近传感器暴露于外部,因此存在的问题在于,显示面板的有效区域不可避免地减小。
因此,在一些情况下,显示装置被设计成:i)具有用于光学单元的安装和暴露的大的边框;ii)使得显示区域的一部分能够切出成凹口形状;或者iii)使得光学单元能够通过形成在有效区域中的孔形部分暴露。然而,因为显示屏的尺寸由于摄像装置仍然受到限制,因此实际中不容易实现全屏显示。
发明内容
为了实现全屏显示,提出了一种分配其中在显示屏中设置有低分辨率像素的传感器区域并且在显示面板下方与传感器区域相对的位置或区域中布置摄像装置和/或各种传感器的方案。然而,由于传感器区域的结构限制,透光率降低,导致各种传感器的性能劣化的问题。因此,本公开内容的实施方式提供了一种能够大幅提高显示装置中采用的传感器的性能的显示装置。在本公开内容中解决的议题或问题不限于此,并且根据以下描述,其他议题或问题对于本领域技术人员将变得明显。
根据本公开内容的各方面,提供了一种显示装置。该显示装置包括:第一区域,在该第一区域中设置有一个或更多个第一像素;以及被第一区域围绕的第二区域,在该第二区域中设置有一个或更多个第二像素。第二区域包括与第一传感器对应的第一传感器区域以及与第二传感器对应的第二传感器区域,并且第一传感器区域包括第一阻挡层,第二传感器区域包括与第一阻挡层不同的第二阻挡层。
第一阻挡层和第二阻挡层中的每一个可以包括一个或更多个开口,并且除所述开口之外的其余区域可以用于阻挡激光束。
第一传感器可以是图像传感器,并且第二传感器可以是红外传感器。
第一阻挡层可以由具有10%或小于10%的可见光透射率的材料形成。在这种情况下,第一阻挡层可以包括钼(Mo)、钛(Ti)或铝钕(AlNd)中的至少一种或更多种。
第二阻挡层可以由具有90%或大于90%的红外透射率的材料形成。
在这种情况下,第二阻挡层可以包括非晶硅(a-Si)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、氧化镁(MgO)、砷化镓(GaAs)或磷化镓(GaP)中的至少一种或更多种。
设置在第一传感器区域中的像素的密度可以比设置在第二传感器区域中的像素的密度小。设置在第二传感器区域中的像素的密度可以与设置在第一区域中的像素的密度相同。
第一传感器区域和第二传感器区域包括设置在像素之间的透光区域,并且包括在每个像素中的发光元件的阴极可以不设置在透光区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的