[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202111415719.8 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114664890A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 郑德永 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李德山;崔俊红 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一区域,在所述第一区域中设置有一个或更多个第一像素;以及
被所述第一区域围绕的第二区域,在所述第二区域中设置有一个或更多个第二像素,
其中,所述第二区域包括与第一传感器对应的第一传感器区域以及与第二传感器对应的第二传感器区域,并且
所述第一传感器区域包括第一阻挡层,并且所述第二传感器区域包括与所述第一阻挡层不同的第二阻挡层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的每一个包括一个或更多个开口,并且除所述一个或更多个开口之外的其余区域用于阻挡激光束。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一传感器是图像传感器,并且所述第二传感器是红外传感器。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一阻挡层由具有10%或小于10%的可见光透射率的材料形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一阻挡层包括钼Mo、钛Ti或铝钕AlNd中的至少一种或更多种。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第二阻挡层由具有90%或大于90%的红外透射率的材料形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二阻挡层包括非晶硅a-Si、硒化锌ZnSe、硫化锌ZnS、氧化镁MgO、砷化镓GaAs或磷化镓GaP中的至少一种或更多种。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述一个或更多个第二像素中的设置在所述第一传感器区域中的像素的密度比所述一个或更多个第二像素中的设置在所述第二传感器区域中的像素的密度小。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述一个或更多个第二像素中的设置在所述第二传感器区域中的像素的密度等于设置在所述第一区域中的所述一个或更多个第一像素的密度。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一传感器区域和所述第二传感器区域中的每一个包括设置在所述第一像素或所述第二像素之间的透光区域,并且包括在所述第一像素或所述第二像素中的每个像素中的发光元件的阴极不设置在所述透光区域中。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一传感器区域和所述第二传感器区域具有不同的透光区域形状。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一传感器区域的所述透光区域为圆形或椭圆形,并且所述第二传感器区域的所述透光区域具有在水平方向、竖直方向或对角线方向上延伸的条形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的