[发明专利]一种压接式功率器件内部结构及其制作方法

权利要求书

1.一种压接式功率器件内部结构，其特征在于，包括：集电极电路板(1)、发射极电路板(2)和PCB栅极电路板(5)，所述集电极板(1)设有若干个芯片子单元(7)；所述发射极电路板(2)设有导电缓冲层(3)，每个芯片子单元(7)通过凸台(6)连接导电缓冲层(3)，所述PCB栅极电路板(5)连接所述导电缓冲层(3)。

2.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：

所述个芯片子单元(7)包括上钼片(7-1)、IGBT芯片(7-2)和下钼片(7-3)，所述IGBT芯片(7-2)一面连接所述上钼片(7-1)，另一面连接所述下钼片(7-3)。

3.根据权利要求2所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：

所述栅极电路板(5)设有栅极针(8)，所述栅极电路板(5)通过所述栅极针(8)连接所述IGBT芯片(7-2)。

4.根据权利要求3所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：

还包括绝缘限位框架(4)，所述绝缘限位框架(4)设有凸台导向孔(4-2)和栅极针导向孔(4-1)。

5.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：

所述集电极电路板(1)和/或发射极电路板(2)材质为纯铜，表面镀有镍。

6.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：

所述导电缓冲层(3)材质为铝、锡或锌中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：

所述PCB栅极电路板(5)中PCB板与栅极接触面镀有镍金。

8.根据权利要求4所述的一种压接式功率器件内部结构，其特征在于：

所述绝缘限位框架(4)材质为聚四氟乙烯或者PPS。

9.一种压接式功率器件内部结构的制作方法，其特征在于：

选择制作材料上钼片(7-1)、下钼片(7-3)、IGBT芯片(7-2)、陶瓷管壳E极铜板、导电缓冲层(3)、绝缘限位框(4)、PCB栅极电路板(5)、陶瓷管壳C极铜板和栅极针(8)；

陶瓷管壳E极铜板的表面设置凸台(6)，凸台(6)之间的高度差控制在10um以内，在陶瓷管壳E极铜板表面镀镍；

将导电缓冲层(3)铺设在在陶瓷管壳E极铜板上，PCB栅极电路板(5)连接导电缓冲层(3)，PCB栅极电路板(5)通过栅极针(8)引出栅极；

绝缘限位框架(4)设有凸台导向孔(4-2)和栅极针导向孔(4-1)，凸台(6)插入凸台导向孔(4-2)，栅极针(8)插入栅极针导向孔(4-1)；

通过银烧结工艺将上钼片(7-1)和下钼片(7-3)烧结在IGBT芯片(7-2)的两面形成芯片子单元(7)；

上钼片(7-1)连接凸台(6)；

下钼片(7-3)连接陶瓷管壳C极铜板。