[发明专利]纳米粒子及包括其的组合物、发光二极管及显示装置

说明书

本申请公开了一种纳米粒子，包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。本申请的纳米粒子中的二苯基膦配体与量子点表面的Se之间可以形成较强的化学键合而将Se覆盖，从而避免暴露的Se所引起的非辐射弛豫，进而有效地提升纳米粒子的光稳定性，进而有效地提升包括所述纳米粒子的发光二极管的效率及寿命。另，本申请还公开了一种包括所述纳米粒子的组合物、包括所述纳米粒子的发光二极管及包括所述发光二极管的显示装置。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种纳米粒子、包括所述纳米粒子的组合物、发光二极管及显示装置。

背景技术

量子点材料为因具有独特的光学特性的纳米粒子，被广泛应用于发光领域，例如量子点发光二极管(QLED)。量子点发光二极管具有发光光谱窄、色域广、稳定性好、制作成本低等优势，而收到广泛关注。量子点发光二极管的结构主要包括阳极、发光层及阴极。在电场的作用下，量子点发光二极管的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向发光层中注入，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发量子点产生可见光。

然而，目前的量子点发光二极管因为发光效率低、寿命短而还无法商业化量产。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种纳米粒子及包括所述纳米粒子的发光二极管，旨在改善现有的发光二极管寿命短的问题。

本申请实施例是这样实现的，一种纳米粒子，所述纳米粒子包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为包含Se的单一结构的量子点，所述包含Se的单一结构的量子点选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为核壳结构的量子点，所述核壳结构的量子点包括量子点核及包覆所述量子点核的至少一壳层，其中，最外层的壳层中包含Se，所述二苯基膦配体连接在所述最外层的壳层表面的Se元素上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述壳层的材料选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点核的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、ZnCdSeTe及ZnCdSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂及AgInS₂中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为蓝光核壳结构量子点ZnCdSe/ZnSe。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的表面还连接有酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂及聚乙烯基吡啶中的至少一种，所述酸配体选自十酸、十一烯酸、十四酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；所述硫醇配体选自八烷基硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一种；所述胺配体选自油胺、十八胺、八胺中的至少一种；所述(氧)膦配体选自三辛基膦及三辛基氧膦的至少一种。