[发明专利]纳米粒子及包括其的组合物、发光二极管及显示装置

权利要求书

1.一种纳米粒子，其特征在于：所述纳米粒子包括量子点及连接在所述量子点表面的二苯基膦配体，所述量子点的表面具有Se，所述二苯基膦配体与所述Se通过配位键连接，所述纳米粒子中，所述二苯基膦配体与所述量子点的质量比的范围为(0.08:1)～(0.2:1)。

2.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点为包含Se的单一结构的量子点，所述包含Se的单一结构的量子点选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

3.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点为核壳结构的量子点，所述核壳结构的量子点包括量子点核及包覆所述量子点核的至少一壳层，其中，最外层的壳层中包含Se，所述二苯基膦配体连接在所述最外层的壳层表面的Se元素上。

4.如权利要求3所述的纳米粒子，其特征在于：所述壳层的材料选自ZnSe、CdSe、ZnCdSe、ZnSeS、ZnSeTe、CdSeS、CdSeTe、ZnCdSeS及ZnCdSeTe中的至少一种。

5.如权利要求3所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点核的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、ZnCdSeTe及ZnCdSTe中的至少一种；所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂及AgInS₂中的至少一种。

6.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点为蓝光核壳结构量子点ZnCdSe/ZnSe。

7.如权利要求1所述的纳米粒子，其特征在于：所述量子点的表面还连接有酸配体、硫醇配体、胺配体、(氧)膦配体、磷脂、软磷脂及聚乙烯基吡啶中的至少一种，所述酸配体选自十酸、十一烯酸、十四酸、油酸、硬脂酸中的至少一种；所述硫醇配体选自八烷基硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一种；所述胺配体选自油胺、十八胺、八胺中的至少一种；所述(氧)膦配体选自三辛基膦及三辛基氧膦的至少一种。

8.一种组合物，包括溶剂，其特征在于：所述组合物还包括权利要求1-7任意一项所述的纳米粒子。

9.如权利要求8所述的组合物，其特征在于：所述纳米粒子的浓度范围为10～30mg/mL。

10.如权利要求8所述的组合物，其特征在于：所述溶剂选自正辛烷。

11.一种发光二极管，包括层叠的底电极、发光层及顶电极，其特征在于：所述发光层中包括权利要求1-7任意一项所述的纳米粒子。

12.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括权利要求11所述的发光二极管。