[发明专利]微型发光二极管的转移装置和转移方法在审
申请号: | 202111414232.8 | 申请日: | 2021-11-25 |
公开(公告)号: | CN114203616A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 邱成峰;莫炜静;管云芳 | 申请(专利权)人: | 深圳市思坦科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人: | 田丽丽 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 转移 装置 方法 | ||
1.一种微型发光二极管的转移装置,其特征在于,包括:载体基板和可膨胀材料,所述载体基板上设有用于容纳微型发光二极管的凹槽,所述可膨胀材料设置于所述凹槽的底部。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述可膨胀材料为记忆聚合物变形材料。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述记忆聚合物变形材料为热致型记忆聚合物变形材料、电致型记忆聚合物变形材料、光致型记忆聚合物变形材料或化学感应型记忆聚合物变形材料。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,还包括设置于所述可膨胀材料上方的粘结层,所述粘结层用于固定所述微型发光二极管。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述粘结层材料为PMDS。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,还包括设置于所述凹槽开口处的阻挡构件,当所述可膨胀材料膨胀后,所述可膨胀材料抵接所述阻挡构件。
7.根据权利要求1~5中任意一项所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,还包括设置于所述载体基板上的定位结构,所述定位结构用于定位所述微型发光二极管。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管的转移装置,所定位结构为卡合结构和/或粘结结构。
9.根据权利要求1~5中任意一项所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述载体基板包括底板和设置于所述底板上的顶板,所述顶板设有所述凹槽,所述顶板的材料是柔性树脂材料、低共熔金属或软金属;
所述底板的材料是透明材料;
还包括隔离层,所述隔离层设置于所述可膨胀材料上方,所述隔离层用于隔离所述可膨胀材料与所述微型发光二极管。
10.一种微型发光二极管的转移方法,其特征在于,包括以下过程:
提供微型发光二极管的转移装置,所述转移装置包括:载体基板和可膨胀材料,所述载体基板上设有用于容纳微型发光二极管的凹槽,所述可膨胀材料设置于所述凹槽的底部,使所述凹槽的开口向上;
将微型发光二极管置于所述凹槽内,所述微型发光二极管位于所述可膨胀材料上方;
激发所述可膨胀材料膨胀,所述可膨胀材料膨胀将所述微型发光二极管顶出所述凹槽;
将所述微型发光二极管与目标基板相结合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造