[发明专利]微型发光二极管的转移装置和转移方法在审

专利信息
申请号: 202111414232.8 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN114203616A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 邱成峰;莫炜静;管云芳 申请(专利权)人: 深圳市思坦科技有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L33/00
代理公司: 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 代理人: 田丽丽
地址: 518000 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 微型 发光二极管 转移 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种微型发光二极管的转移装置,其特征在于,包括:载体基板和可膨胀材料,所述载体基板上设有用于容纳微型发光二极管的凹槽,所述可膨胀材料设置于所述凹槽的底部。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述可膨胀材料为记忆聚合物变形材料。

3.根据权利要求2所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述记忆聚合物变形材料为热致型记忆聚合物变形材料、电致型记忆聚合物变形材料、光致型记忆聚合物变形材料或化学感应型记忆聚合物变形材料。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,还包括设置于所述可膨胀材料上方的粘结层,所述粘结层用于固定所述微型发光二极管。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述粘结层材料为PMDS。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,还包括设置于所述凹槽开口处的阻挡构件,当所述可膨胀材料膨胀后,所述可膨胀材料抵接所述阻挡构件。

7.根据权利要求1~5中任意一项所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,还包括设置于所述载体基板上的定位结构,所述定位结构用于定位所述微型发光二极管。

8.根据权利要求7所述的微型发光二极管的转移装置,所定位结构为卡合结构和/或粘结结构。

9.根据权利要求1~5中任意一项所述的微型发光二极管的转移装置,其特征在于,所述载体基板包括底板和设置于所述底板上的顶板,所述顶板设有所述凹槽,所述顶板的材料是柔性树脂材料、低共熔金属或软金属;

所述底板的材料是透明材料;

还包括隔离层,所述隔离层设置于所述可膨胀材料上方,所述隔离层用于隔离所述可膨胀材料与所述微型发光二极管。

10.一种微型发光二极管的转移方法,其特征在于,包括以下过程:

提供微型发光二极管的转移装置,所述转移装置包括:载体基板和可膨胀材料,所述载体基板上设有用于容纳微型发光二极管的凹槽,所述可膨胀材料设置于所述凹槽的底部,使所述凹槽的开口向上;

将微型发光二极管置于所述凹槽内,所述微型发光二极管位于所述可膨胀材料上方;

激发所述可膨胀材料膨胀,所述可膨胀材料膨胀将所述微型发光二极管顶出所述凹槽;

将所述微型发光二极管与目标基板相结合。

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