[发明专利]一种降低晶圆包装破损的方法在审
| 申请号: | 202111413085.2 | 申请日: | 2021-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN113964071A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
| 发明(设计)人: | 叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;蘇政宏 | 申请(专利权)人: | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;F16F15/08 |
| 代理公司: | 北京七夏专利代理事务所(普通合伙) 11632 | 代理人: | 刘毓珍 |
| 地址: | 239200 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 降低 包装 破损 方法 | ||
本发明属于半导体制作技术领域,具体涉及一种降低晶圆包装破损的方法;本发明以对应的层叠包装方式,有序的层别出各自晶圆放置位置,不仅可有效达到减震的效果,亦可有效降低破片异常。
技术领域
本发明属于半导体制作技术领域,具体的讲涉及一种降低晶圆包装破损的方法。
背景技术
科技与时俱进,半导体发展神速,各种软硬件的运用更是火热,为了将更多不同功能的晶片堆叠放置于芯片中,晶圆薄化的制程更是重中之重,故晶圆薄化的需求更是个家厂商极近所能研发与改善,晶圆薄化可使芯片在晶圆内的延展性及提升高功率芯片在运行中加速散热效果,如何让晶圆薄化至极致且完整包装出货至客户端,对于各家厂商是一大考验。
现行包装方式多使用特制晶舟盒或是客户端提供之装置盒,一般的晶舟盒对于减薄mil数高的晶圆承载并无问题,但是要满足减薄效果薄至3mil或是更薄之产品,晶圆的包装放置方式与内容物的置放就是一大考验与挑战,本发明能有效降低晶圆于包装中破片之几率,且能大幅提升晶舟盒内部承载片数,不仅能多片承载更能完善保护精密的晶圆。
发明内容
为解决现有技术存在的问题,本发明提供一种降低晶圆包装破损的方法,可以有效避免晶圆放置过程中造成晶圆刮伤与碎裂,更能稳固的将多片晶圆放置于晶舟盒内大幅降低薄晶圆的包装成本,可有效降低晶圆运送过程的破片率。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种降低晶圆包装破损的方法,包括如下步骤:
提供晶圆,该晶圆具有集成电路的正面与背面,接着将该晶圆放入一个晶舟装置内,并依据置入的不同厚薄规格置放包装。
进一步地,晶圆包装方式可适用于2mil及以上的晶圆产品。
进一步地,晶圆包装尺寸为4in、5in、6in、8in与12in中的任意一种。
进一步地,晶舟装置设有一个承载部,所述承载部外延延伸有承载保护件,还设有一个和承载部对应的上盖部,所述上盖部外延延伸有上盖保护件,承载部与上盖部接合,两个保护件相互镶合以保护晶圆。
进一步地,晶舟装置内部设有若干隔层件用以将晶圆间隔置放减少晶圆摩擦。
进一步地,晶舟装置内部设有若干软隔层用以将晶圆间隔置放以有效减缓晶舟装置因放置晶圆的震动。
进一步地,晶舟装置内部可拆卸连接有边条软件,用于接合时稳固承载部与上盖部。
进一步地,隔层件为TYVEK材料制作。
进一步地,软隔层为PE或PU中的任意一种。
进一步地,边条软件为PE或PU材料中任意一种。
进一步地,隔层件使用前需烘烤60℃±2,且烘烤时间为240分钟以上,并需摊开摆放每摊纸高度≤4cm。
进一步地,软隔层于使用前需放置氮气柜内24HR。
进一步地,边条软件使用前需烘烤50℃±2,且烘烤时间为30分钟以上,并需摊开摆放每摊≤20cm,并于烘烤后存放于氮气柜内。
进一步地,隔层件于晶舟装置内可拆卸连接,且该材质抗静电。
进一步地,软隔层材质为PU材质,于晶舟装置内可拆卸连接,且该材质抗静电。
进一步地,边条软件材质为PE材质,于晶舟装置内可拆卸连接,且该材质抗静电。
本方案的有益效果如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙),未经滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111413085.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





