[发明专利]利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统及其补偿方法在审

专利信息
申请号: 202111411090.X 申请日: 2021-11-25
公开(公告)号: CN115604922A 公开(公告)日: 2023-01-13
发明(设计)人: 蔡佳宏;邹宥呈 申请(专利权)人: 财团法人交大思源基金会
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00
代理公司: 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 代理人: 李洁;董江虹
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 利用 非线性 模型 预测 电路板 变形 误差 偏移 位置 补偿 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统,其特征在于,所述电路板具有一内部电路,且该电路板至少具有位于四个角隅的四个靶标,并在该电路板默认一局部区域,且至少在该局部区域内的四个角隅具有四个样本点,所述系统包含一影像测量单元、一运算处理单元以及一加工单元,该影像测量单元和该加工单元分别与该运算处理单元电性连接,其中:

该影像测量单元测量这些样本点的原始位置并存储,各该样本点分别以X-Y坐标值为位置表示;

该运算处理单元通过一非线性模型设定若干次方值,且分别计算出各该样本点对应这些次方值的复数个预测位置,并计算各该样本点的这些预测位置和对应的原始位置间的绝对值平均误差,将所述绝对值平均误差中最小者对应的所述次方值取为一优化次方值;

该电路板变形前在该局部区域内对应该内部电路预定的一加工位置,通过该非线性模型依照该优化次方值得出对应的误差进行补偿,以预测该电路板变形后的一偏移位置,供该加工单元以该偏移位置对变形后的该电路板进行加工。

2.根据权利要求1所述的利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统,其特征在于,该影像测量单元包括一X光产生器、一影像传感器以及一存储器,以该X光产生器发出射线而穿透该电路板,并以该影像传感器接收穿透该电路板的射线,以测量该电路板的该复数个样本点的原始位置并存储于该存储器。

3.根据权利要求2所述的利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统,其特征在于,该影像传感器为CCD传感器。

4.根据权利要求1所述的利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统,其特征在于,该加工单元为一钻孔器。

5.根据权利要求1所述的利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统,其特征在于,该电路板为经二次热压合成型的多层印刷电路板,该内部电路埋于该电路板中。

6.一种利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿方法,主要是将电路板放至一钻靶机上执行,该电路板至少具有位于四个角隅的四个靶标,并在该电路板默认一局部区域,且至少在该局部区域内的四个角隅具有四个样本点,所述方法包含以下步骤:

获取样本点的原始位置:以一影像测量单元测量这些样本点的原始位置并存储,各该样本点分别以X-Y坐标值为位置表示;

计算优化次方值:以一运算处理单元通过一非线性模型设定若干次方值,且分别计算出各该样本点对应这些次方值的复数个预测位置,并计算各该样本点的这些预测位置和对应的原始位置间的绝对值平均误差,将所述绝对值平均误差中最小者对应的所述次方值取为一优化次方值;以及

依照预测的偏移位置加工:该电路板变形前在该局部区域内对应该内部电路预定的一加工位置,通过该非线性模型依照该优化次方值得出对应的误差进行补偿,以预测该电路板变形后的一偏移位置,供一加工单元以该偏移位置对变形后的该电路板进行加工。

7.根据权利要求6所述的利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统,其特征在于,对应这些次方值中的所述绝对值平均误差被曲线拟合以找出所述绝对值平均误差最小者。

8.根据权利要求6所述的利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿系统,其特征在于,在该获取样本点的原始位置的步骤前,进行一基准转换的步骤,所述基准转换的步骤是所述钻靶机通过一中心重合法将该电路板的中心平移至与所述钻靶机预设的中心重合,且旋转该四个靶标至与所述钻靶机预设的靶标间的误差最小化的位置,所述钻靶机将以此误差最小化对应的四个靶标所在位置转换为后续测量这些样本点的基准。

9.根据权利要求6至8任一项所述的利用非线性模型预测电路板变形误差的偏移位置补偿方法,其特征在于,所述非线性模型依照一非线性位置权重方程式设定所述若干次方值,以计算出对应该四个样本点的四个权重值,并以该四个权重值计算出一组位置预测函数,再依照该组位置预测函数经一位置计算方程式求得所述预测位置或所述偏移位置。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人交大思源基金会,未经财团法人交大思源基金会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111411090.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top