[发明专利]MEMS硅压阻式气体压力传感器有效

专利信息
申请号: 202111408716.1 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114061824B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 张建国;杨格;王海峰;陈建环;郑灿林 申请(专利权)人: 深圳华美澳通传感器有限公司
主分类号: G01L9/06 分类号: G01L9/06
代理公司: 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 44542 代理人: 王启蒙
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区平*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: mems 硅压阻式 气体 压力传感器
【权利要求书】:

1.一种MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,包括:

壳体,设有相分隔的第一腔室、第二腔室和第三腔室,所述第一腔室具有第一气嘴,所述第二腔室具有第二气嘴,所述壳体还设有校准流道和两条第一气流流道,所述校准流道连通所述第一腔室和所述第三腔室,一所述第一气流流道连通所述第一腔室和所述第三腔室,另一所述第一气流流道连通所述第二腔室和所述第三腔室;

硅压阻式气体压力敏感元件,收容于所述第一腔室,所述硅压阻式气体压力敏感元件的背侧密封所述校准流道;

密封塞,收容于所述第三腔室,所述密封塞包括两个密封凸柱,一所述密封凸柱对应可活动设于一所述第一气流流道,所述密封凸柱的外周面用以与所述第一气流流道的内周面密封配合;以及

驱动件,用以驱动所述密封凸柱打开和关闭所述第一气流流道。

2.如权利要求1所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述密封凸柱设有连通所述第一气流流道的第二气流流道,所述第二气流流道的一开口位于所述密封凸柱的端面,所述第二气流流道的另一开口位于所述密封凸柱的外周面。

3.如权利要求2所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述第二气流流道的半径的数值范围为3mm-4mm。

4.如权利要求1所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述密封凸柱具有靠近所述第一气流流道的第一端,所述第一端的周缘处设有倒角。

5.如权利要求4所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述倒角的角度数值范围为30度至60度。

6.如权利要求1所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述密封塞包括呈长条状的塞本体,两所述密封凸柱分设于所述塞本体的相对两端,所述驱动件配置为电磁线圈,所述塞本体穿设于所述电磁线圈,所述密封塞位于两所述第一气流流道之间。

7.如权利要求1所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述壳体的底部朝外延伸出两个安装凸耳。

8.如权利要求7所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述安装凸耳设有螺纹孔。

9.如权利要求1所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述MEMS硅压阻式气体压力传感器还包括两根气管,两所述气管位于所述壳体外,所述第一气嘴连通一所述气管,所述第二气嘴连通另一所述气管。

10.如权利要求1所述的MEMS硅压阻式气体压力传感器,其特征在于,所述MEMS硅压阻式气体压力传感器还包括收容于所述第一腔室的无线通信模块。

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