[发明专利]半导体工艺炉

说明书

本申请公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，所述送气组件包括：进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。上述半导体工艺炉能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部分晶圆的工艺效果较差的问题。

技术领域

本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺炉。

背景技术

在半导体加工的过程中，为形成质量较高的产品，在退火等工艺过程中，通常需要通入氢气等修复晶圆的内部缺陷。目前，通常利用工艺炉容纳晶圆，且通过自工艺炉的顶部通入工艺气体对晶圆进行修复。但是，在工作过程中，位于工艺炉顶部的晶圆会优先与工艺气体反应，这导致流动至工艺炉中部，尤其是底部的工艺气体的量大大减少，造成位于工艺炉底部的晶圆的工艺效果较差。

发明内容

本申请公开一种半导体工艺炉，能够解决因目前工艺炉中工艺气体分布不均匀导致部分晶圆的工艺效果较差的问题。

为了解决上述问题，本申请实施例是这样实现地：

本申请实施例提供了一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件，其中，所述送气组件包括：

进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。

本申请实施例公开一种半导体工艺炉，其包括炉管和送气组件。送气组件安装在炉管上，且送气组件包括进气管、多个送气管和多个环状匀流件，进气管设有进气口，多个送气管的一端均与进气管的另一端连通，多个送气管的另一端均设置有送气口，且多个环状匀流件均安装在炉管的容纳腔内，多个环状匀流件均设有匀流腔，且多个送气口与多个环状匀流件的匀流腔一一对应连通。

基于上述半导体工艺炉，工艺气体可以经进气口被送入多个送气管中，且经多个送气口进入多个环状匀流件的匀流腔内，继而自各匀流腔的多个匀流孔分别流动至炉管中容纳腔的不同区域处。由于多个送气口沿炉管的轴向间隔设置，从而使得工艺气体可以被分别送入至炉管的容纳腔轴向上多个不同的位置处，且在环状匀流件的作用下，可以使工艺气体沿炉管的径向分别自同一轴向位置流向不同的径向方向。在这种情况下，可以提升工艺气体在容纳腔内的轴向分布均匀程度和周向分布均匀程度，以尽量保证容纳腔内的各晶圆的工艺效果均相对较好。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是本申请实施例公开的半导体工艺炉的结构示意图；

图2是本申请实施例公开的半导体工艺炉中的送气过程的原理示意图；

图3是本申请实施例公开的半导体工艺炉中包括环状匀流件的部分结构的示意图；

图4是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件与晶圆的装配示意图；

图5是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件中部分结构的示意图；

图6是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件中部分结构的示意图；

图7是本申请实施例公开的半导体工艺炉中晶舟组件在另一方向上的结构示意图。