[发明专利]半导体工艺炉

权利要求书

1.一种半导体工艺炉，其特征在于，包括炉管和送气组件，其中，所述送气组件包括：

进气管、多个送气管和多个环状匀流件，所述进气管一端设有进气口，多个所述送气管的一端均与所述进气管的另一端连通，各所述送气管的另一端均设有送气口，多个所述送气口沿所述炉管的轴向间隔设置；各所述环状匀流件均设置于所述炉管的内部，且沿所述炉管的轴向间隔设置，所述环状匀流件内设置有匀流腔，其上间隔分布有多个匀流孔，多个所述送气口与多个所述环状匀流件的所述匀流腔一一对应地连通。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，在自多个所述匀流孔中与所述送气口的间距最大的一者指向所述送气口的方向上，所述匀流孔的密集程度逐渐减小。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述环状匀流件的外侧沿其周向设置有匀流槽，所述匀流槽的开口贴设于所述炉管的内壁，形成所述匀流腔，各所述匀流孔均设置于所述环状匀流件的内侧。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，各所述送气管均设置在所述炉管的外壁上，且沿所述炉管的轴向延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述炉管的外壁上还设置有多个加固件，用于分别加固各所述送气管。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺炉，其特征在于，还包括用于承载晶圆的晶舟组件，所述晶舟组件可容置于所述炉管内，多个所述环状匀流件均环绕所述晶舟组件设置，所述晶舟组件包括顶板、底板和至少三个承载柱，所述顶板和所述底板相对设置，且所述承载柱连接于所述顶板和所述底板之间，至少三个所述承载柱沿所述炉管的周向间隔分布，各所述承载柱均设置有多个沿所述炉管的轴向分布的承载槽，且各所述承载槽均朝向所述炉管的轴线设置。

7.根据权利要求6所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述承载柱背离所述承载槽的一侧设有贯穿长槽，各所述承载槽均通过所述贯穿长槽与所述晶舟组件朝向所述炉管的内壁的一侧连通。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述晶舟组件还包括加强件，所述承载柱背离所述承载槽的一侧固定有至少一个所述加强件，所述加强件的相背两端分别连接于所述承载柱位于所述贯穿长槽相背两侧的部分上。

9.根据权利要求6所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述晶舟组件还包括支撑柱，所述支撑柱连接于所述顶板和所述底板之间，且所述支撑柱设有贯穿长槽，所述贯穿长槽沿所述炉管的轴向延伸，所述支撑柱朝向所述炉管的内壁的一侧通过所述贯穿长槽与所述支撑柱背离所述炉管的内壁的一侧连通。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺炉，其特征在于，所述晶舟组件还包括加强件，所述支撑柱朝向所述炉管的内壁的一侧固定有至少一个所述加强件，所述加强件的相背两端分别连接于所述支撑柱位于所述贯穿长槽相背两侧的部分上。