[发明专利]一种红外短波截止滤光片

权利要求书

1.一种红外短波截止滤光片，其特征在于：该滤光片的膜系结构为：

MLMHM|Sub|(MH)^14M

其中，Sub为基底，(MH)^14M为长波通滤光膜系，MLMHM为增透膜膜系，H为Ge膜层，M为ZnS膜层，L为YbF₃膜层；

所述增透膜膜系中，与所述基底相邻的膜层为第1层，最外层为第5层，第1～5层的几何厚度值为：第1层310～330nm，第2层150～170nm，第3层100～120nm，第4层830～850nm，第5层60～80nm；

所述长波通滤光膜系中，与基底相邻的膜层为第1层，最外层为第29层，第1～29层的几何厚度值为：第1层420～440nm，第2层500～520nm，第3层720～740nm，第4层450～470nm，第5层840～860nm，第6层490～510nm，第7层830～850nm，第8层460～480nm，9层870～890nm，第10层470～490nm，第11层860～880nm，第12层470～490nm，第13层880～900nm，第14层470～490nm，第15层850～870nm，第16层470～490nm，第17层870～890nm，第18层460～480nm，第19层880～900nm，第20层470～490nm，第21层770～790nm，第22层510～530nm，第23层860～880nm,第24层490～510nm，第25层740～760nm，第26层460～480nm，第27层900～920nm，第28层440～460nm，第29层1600～1620nm。

2.根据权利要求1所述的红外短波截止滤光片，其特征在于：所述基底为Ge基底。

3.权利要求1或2所述的一种红外短波截止滤光片，其特征在于，红外短波截止滤光片的制备方法包括以下步骤：

S101：在基底上单面镀增透膜膜系，包括以下步骤：

S101.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；

S101.2:烘烤基底，抽真空至1×10^-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；

S101.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为310～330nm；

S101.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为150～170nm；

S101.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为100～120nm；

S101.6:镀制第4层膜层，用YBF₃膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.4nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为830～850nm；

S101.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为60～80nm；

S101.8:真空室冷却至室温后取出单面镀有增透膜系的光学零件，该光学零件具有MLMHM|Sub膜系，其中Sub代表基底；

S102：在基底的另一面镀制长波通滤光膜系，包括以下步骤：

S102.1:清洁基底，并用离子源轰击3～5分钟；

S102.2:烘烤基底，抽真空至1×10^-3Pa，加热基底至120℃～180℃，保温1小时；

S102.3:镀制第1层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为420～440nm；

S102.4:镀制第2层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为500～520nm；

S102.5:镀制第3层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为720～740nm；

S102.6:镀制第4层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为450～470nm；

S102.7:镀制第5层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为840～860nm；

S102.8:镀制第6层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为490～510nm；

S102.9:镀制第7层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为830～850nm；

S102.10:镀制第8层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为460～480nm；

S102.11:镀制第9层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为870～890nm；

S102.12:镀制第10层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；

S102.13:镀制第11层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为860～880nm；

S102.14:镀制第12层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；

S102.15:镀制第13层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为880～900nm；

S102.16:镀制第14层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；

S102.17:镀制第15层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为850～870nm；

S102.18:镀制第16层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；

S102.19:镀制第17层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为870～890nm；

S102.20:镀制第18层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为460～480nm；

S102.21:镀制第19层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为880～900nm；

S102.22:镀制第20层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为470～490nm；

S102.23:镀制第21层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为770～790nm；

S102.24:镀制第22层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为510～530nm；

S102.25:镀制第23层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为860～880nm；

S102.26:镀制第24层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为490～510nm；

S102.27:镀制第25层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为740～760nm；

S102.28:镀制第26层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为460～480nm；

S102.29:镀制第27层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为900～920nm；

S102.30:镀制第28层膜层，用Ge膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强5×10^-3Pa，蒸发速率为0.3nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为440～460nm；

S102.31:镀制第29层膜层，用ZnS膜料进行蒸镀，并采用离子源辅助淀积，蒸镀时真空室压强为5×10^-3Pa，蒸发速率为0.6nm/s，膜层厚度采用晶振法监控，厚度为1600～1620nm。

4.根据权利要求3所述的红外短波截止滤光片，其特征在于，所述红外短波截止滤光片的制备方法还包括S103:将所述S102后的红外短波截止滤光片在真空室内进行冷却。