[发明专利]一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺

权利要求书

1.一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：包括以下步骤：

S100：浸煮除污，混合集成电路的壳体和引线放入除污溶液中浸煮；

S200：电解除油，壳体和引线放置进入电解溶液中电解；

S300：酸性活化，去除壳体和引线表面的氧化层；

S400：预镀镍；

S500：镀薄金；

S600：局部镀金，用于悬挂壳体和引线的挂具包括通电区和绝缘区，引线通过电镀挂线与挂具的通电区连接，壳体通过电镀挂线与挂具的绝缘区连接，并再次放入镀金溶液进行镀金。

2.根据权利要求1所述的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：所述S100中，除污溶液为铁氰化钾溶液。

3.根据权利要求1所述的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：所述S200中，壳体和引线电解完成后，依次使用自来水和去离子水清洗。

4.根据权利要求1所述的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：所述S300中，酸洗活化包括依次经过的硫酸活化和盐酸活化，其中硫酸活化采用10％硫酸溶液，盐酸活化采用50％盐酸溶液。

5.根据权利要求1所述的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：所述S400中，壳体和引线顺序放入氨基磺酸镍溶液、化学镍溶液和氨基磺酸镍溶液中，依次进行电镀镍、化学镀镍和电镀镍。

6.根据权利要求1所述的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：所述S500中，壳体和引线同时放入镀金溶液中电沉积10-15s，金层厚度在0.06-0.1μm。

7.根据权利要求1所述的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：所述S600中，引线上镀金厚度大于1.27μm。

8.根据权利要求1所述的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，其特征在于：还包括以下步骤：

S700：断开引线，移动壳体电镀挂线连接通电区，依次进行电解除油、盐酸活化和镀镍；

S800：镀层强度测试，盐雾测试48小时。