[发明专利]一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺

说明书

本申请涉及一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，属于局部镀金的领域，其包括以下步骤：S100：浸煮除污，混合集成电路的壳体和引线放入除污溶液中浸煮；S200：电解除油，壳体和引线放置进入电解溶液中电解；S300：酸性活化，去除壳体和引线表面的氧化层；S400：预镀镍；S500：镀薄金；S600：局部镀金，用于悬挂壳体和引线的挂具包括通电区和绝缘区，引线通过电镀挂线与挂具的通电区连接，壳体通过电镀挂线与挂具的绝缘区连接，并再次放入镀金溶液进行镀金。本申请具有减少工艺成本的效果。

技术领域

本申请涉及局部镀金的领域，尤其是涉及一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺。

背景技术

混合集成电路是由半导体集成工艺与薄膜工艺结合而制成的集成电路。混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成。

混合集成电路通常采用整体镀镍镀金，其中镀镍为了防腐蚀，镀金则主要是保证引线的键合强度和可焊性。

针对上述中的相关技术，发明人认为对于混合集成电路来说，引线需要镀镍后再镀金，而壳体则无需镀金，整体镀金的工艺导致成本很高。

发明内容

为了减少工艺成本，本申请提供一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺。

本申请提供的一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺采用如下的技术方案：

一种混合集成电路外壳引线局部镀金工艺，包括以下步骤：

S100：浸煮除污，混合集成电路的壳体和引线放入除污溶液中浸煮；

S200：电解除油，壳体和引线放置进入电解溶液中电解；

S300：酸性活化，去除壳体和引线表面的氧化层；

S400：预镀镍；

S500：镀薄金；

S600：局部镀金，用于悬挂壳体和引线的挂具包括通电区和绝缘区，引线通过电镀挂线与挂具的通电区连接，壳体通过电镀挂线与挂具的绝缘区连接，并再次放入镀金溶液进行镀金。

通过采用上述技术方案，壳体和引线除污去油，并整体镀镍，随后将壳体和引线分别通过电镀挂线连接挂具的绝缘区和通电区，使壳体外部不会通电镀金，而引线则通电镀金，其中，壳体上镀覆的薄金层使壳体上的镍层不会在镀金溶液中被置换出来，使得镍层不会被破坏，镀金溶液不会被污染，由此提高镀金质量，并且引线能够单独镀金无需更换挂具，简化局部镀金工艺，减少镀金成本。

可选的，所述S100中，除污溶液为铁氰化钾溶液。

通过采用上述技术方案，引线通过玻璃绝缘子与壳体连接，将壳体、引线和玻璃绝缘子置入铁氰化钾溶液中，经过浸煮，去除壳体、引线和玻璃绝缘子上的油污，并且保持玻璃绝缘子的绝缘电阻不下降。

可选的，所述S200中，壳体和引线电解完成后，依次使用自来水和去离子水清洗。

可选的，所述S300中，酸洗活化包括依次经过的硫酸活化和盐酸活化，其中硫酸活化采用10％硫酸溶液，盐酸活化采用50％盐酸溶液。

通过采用上述技术方案，硫酸溶液和盐酸溶液去除壳体和引线外部的氧化层和杂质，其中硫酸溶液不易挥发，充分将壳体和引线表面的污垢清除，随后盐酸溶液清洗壳体和引线，盐酸溶液易于挥发，在壳体和引线表面清理后，表面基本没有残留，提高后续步骤的工艺质量。

可选的，所述S400中，壳体和引线顺序放入氨基磺酸镍溶液、化学镍溶液和氨基磺酸镍溶液中，依次进行电镀镍、化学镀镍和电镀镍。

通过采用上述技术方案，依次进行的电镀镍、化学镀镍和电镀镍增加镍层的稳定性，减少镍层被破坏的可能。