[发明专利]片状陶瓷覆压烧结装置及其使用方法

说明书

本申请提供一种片状陶瓷覆压烧结装置及其使用方法，涉及陶瓷制备领域。片状陶瓷覆压烧结装置，包括：基座和压板，所述基座和所述压板之间通过支撑件支撑形成容纳空间；其中，所述容纳空间用于叠层的放置待烧结的片状陶瓷素坯，所述支撑件达到预设温度后收缩，使所述压板压在所述片状陶瓷素坯上并对所述陶瓷素坯产生覆压力。有效地解决了待烧结的片状陶瓷在烧结的过程中产生形变的技术问题，一次烧结即可获得良好的面形精度，使片状陶瓷素坯的翘曲度大幅度下降，其中，本申请可使片状陶瓷的翘曲度从0.5mm/50mm下降到0.1mm/50mm，甚至更低，减少碳排放的同时，还降低了后续对片状陶瓷的加工难度以及生产成本。

技术领域

本申请涉及陶瓷制备领域，特别是涉及一种片状陶瓷覆压烧结装置及其使用方法。

背景技术

集成电路是现代信息社会快速发展的基石，陶瓷作为电路元件及外贴切元件的支撑材料，是集成电路的核心材料之一。

随着电子元件微小型化、低功耗、智能化和高可靠性发展需求以及电路超大规模集成的要求，对陶瓷的力学性能、表面质量、尺寸一致性及低成本等方面均提出了更为苛刻的要求。现有技术中，片状陶瓷在烧结的过程中会产生形变，此问题的出现，不仅严重影响了产品的面形精度，还提高了后续对片状陶瓷加工的困难，从而导致片状陶瓷的生产成本增加。

为此，针对上述的技术问题还需进一步解决。

发明内容

本发明的主要目的在于，提供一种片状陶瓷覆压烧结装置及其使用方法，有效地解决了片状陶瓷在烧结的过程中产生形变的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请实施例提供如下技术方案：

一方面本申请提供一种片状陶瓷覆压烧结装置，包括：

基座和压板，所述基座和所述压板之间通过支撑件支撑形成容纳空间；

其中，所述容纳空间用于叠层的放置待烧结的片状陶瓷素坯，所述支撑件达到预设温度后收缩，使所述压板压在所述片状陶瓷素坯上并对所述陶瓷素坯产生覆压力。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

可选地，前述的片状陶瓷覆压烧结装置，其中所述支撑件的数量为至少两个以形成一组支撑部；

其中，至少两个所述支撑件均匀间隔的支撑在所述压板一侧表面的靠近边沿的一周。

可选地，前述的片状陶瓷覆压烧结装置，其中所述支撑部的数量为多组，每组所述支撑部高度不同，所述支撑部中的每个所述支撑件的高度相同；

其中，高度不同的所述支撑部用于分别与所述基座和所述压板组合形成高度不同的所述容纳空间，以适配放置不同层数的待烧结的所述片状陶瓷。

可选地，前述的片状陶瓷覆压烧结装置，其中所述压板的数量为多个，多个所述压板的厚度不同，或，多个所述压板的直径不同；

其中，每个所述压板用于与所述支撑件和所述基座组合形成能够产生不同覆压力的所述片状陶瓷覆压烧结装置。

可选地，前述的片状陶瓷覆压烧结装置，其中所述压板的数量为多个；

多个所述压板沿竖直方向依次层叠设置或依次间隔设置；

每个所述压板与所述基座之间分别设置不同高度的所述支撑件；

其中，随着所述支撑件高度的增加所述预设温度随之增加。

可选地，前述的片状陶瓷覆压烧结装置，其中所述支撑件为由氧化铝、氧化锆增韧氧化铝、氮化铝或碳化硅制备的预烧体。

可选地，前述的片状陶瓷覆压烧结装置，其中所述支撑件的预设温度为800℃～1600℃；