[发明专利]片状陶瓷覆压烧结装置及其使用方法

权利要求书

1.一种片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，包括：

基座和压板，所述基座和所述压板之间通过支撑件支撑形成容纳空间；

其中，所述容纳空间用于叠层的放置待烧结的片状陶瓷素坯，所述支撑件达到预设温度后收缩，使所述压板压在所述片状陶瓷素坯上并对所述陶瓷素坯产生覆压力；

所述压板的数量为多个；

多个所述压板沿竖直方向依次层叠设置或依次间隔设置；

每个所述压板与所述基座之间分别设置不同高度的所述支撑件；

其中，随着所述支撑件高度的增加所述预设温度随之增加，多个所述压板对应的所述支撑件的高度呈阶梯式变化。

2.根据权利要求1所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，

所述支撑件的数量为至少两个以形成一组支撑部；

其中，至少两个所述支撑件均匀间隔的支撑在所述压板一侧表面的靠近边沿的一周。

3.根据权利要求2所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，

所述支撑部的数量为多组，每组所述支撑部高度不同，所述支撑部中的每个所述支撑件的高度相同；

其中，高度不同的所述支撑部用于分别与所述基座和所述压板组合形成高度不同的所述容纳空间，以适配放置不同层数的待烧结的所述片状陶瓷。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，

所述压板的数量为多个，多个所述压板的厚度不同，或，多个所述压板的直径不同；

其中，每个所述压板用于与所述支撑件和所述基座组合形成能够产生不同覆压力的所述片状陶瓷覆压烧结装置。

5.根据权利要求1所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，

所述支撑件为由氧化铝、氧化锆增韧氧化铝、氮化铝或碳化硅制备的预烧体。

6.根据权利要求1所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，

所述支撑件的预设温度为800℃～1600℃。

7.根据权利要求1所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，

所述覆压力的调控范围为0.01Mpa～0.2Mpa。

8.根据权利要求1所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，

所述基座和所述压板相对的用于与所述片状陶瓷素坯接触的表面粗糙度小于1.6μm；

所述基座和所述压板相对的用于与所述片状陶瓷素坯接触表面的平行度小于等于0.05mm。

9.一种片状陶瓷覆压烧结方法，采用根据权利要求1-8中任一项所述的片状陶瓷覆压烧结装置，其特征在于，包括：

通过干压成型的方式获取支撑件坯体；

对所述支撑件坯体预烧结，冷却后形成支撑件；

于基座上叠放待烧结的片状陶瓷素坯，以及于所述基座上所述片状陶瓷素坯的周围设置至少两个所述支撑件，于所述支撑件上方放置压板，所述压板、所述支撑件以及所述基座组成片状陶瓷覆压烧结装置；

将所述片状陶瓷素坯和所述片状陶瓷覆压烧结装置同时加热烧结；

其中，所述支撑件于预设温度时发生收缩，所述压板压在叠放的所述片状陶瓷素坯上并产生覆压力。