[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置在审

专利信息
申请号: 202111386762.6 申请日: 2021-11-22
公开(公告)号: CN114089570A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 李智炜;范熊誉;王档军;漆光霞;卢美顺;王谦;殷桂华;孙志华 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都中电熊猫显示科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 王卫忠
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置
【说明书】:

发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。阵列基板包括多个子像素以及穿过子像素的存储电容总线,每个子像素具有第一电极和第二电极;第一电极为像素电极;第二电极为导体;第二电极与存储电容总线连接;第二电极与第一电极位于不同层,且第二电极在第一电极所在面上的投影的至少部分区域位于第一电极内。上述阵列基板在第二电极和第一电极之间形成了一个存储电容,可以起到维持像素电极上的电压的作用,使维持像素电极上的电压不再完全依赖在存储电容总线和第一电极之间所形成的存储电容,可以降低子像素区域内存储电容总线所占的面积,从而就能够提高子像素的开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术

液晶显示面板包括由栅线和数据线限定的多个子像素,每个子像素具有薄膜晶体管和像素电极。除此之外,无论对于VA面板,或是IPS面板,或是其他类型的液晶显示面板,其阵列基板上均设置有存储电容总线,存储电容总线穿过每个子像素,在每个子像素区域内与该子像素的像素电极之间形成存储电容,该存储电容可以在输入到像素电极的两个数据信号之间的时间间隔内维持像素电极上的电压,以维持每个子像素的显示亮度。

每个子像素中,存储电容总线和像素电极之间形成的存储电容为平行板电容器。对于平行板电容器而言,其产生的电容可以用如下公式表示:

C=εS/d

其中,S为电容极板的正对面积,d为电容极板之间的距离。

根据上述公式,存储电容与电容极板的正对面积成正比,与电容极板之间的距离成反比。通常,存储电容总线和像素电极之间的距离是固定的,如果需要增大存储电容,更好的维持施加在像素电极上的电压,可行的途径是使存储电容总线和像素电极之间的正对面积较大。而想要达到这一目的,就需要使存储电容总线在子像素区域内具有足够的线宽,或者增加存储电容走线在子像素区域内的长度。因此,现有的液晶显示面板产品中,存储电容总线在子像素区域内具有较大的宽度或者延伸较长的长度,从而实现在存储电容总线和像素电极之间产生较大的存储电容。

但上述现有液晶显示面板产品在实际应用中也存在以下问题:

存储电容总线在子像素区域内占据了较大的面积,而存储电容总线为金属材料,其不透光,不可避免地导致了子像素区域内能够透光的面积减少,开口率降低。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置,以改善上述现有技术中阵列基板的开口率低的技术问题。

本发明提供的阵列基板,包括多个子像素以及穿过子像素的存储电容总线,每个子像素具有第一电极和第二电极;所述第一电极为像素电极;所述第二电极为导体;所述第二电极与所述存储电容总线连接;所述第二电极与所述第一电极位于不同层,且所述第二电极在所述第一电极所在面上的投影的至少部分区域位于所述第一电极内。

其中,每个子像素包括薄膜晶体管,所述第二电极与所述薄膜晶体管的有源层同层设置。

其中,所述第二电极和存储电容总线之间形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有过孔,所述第二电极和存储电容总线通过所述过孔连接。

其中,所述第二电极为经过导体化处理的金属氧化物半导体。

其中,所述第二电极的透光率小于或等于所述第一电极的透光率。

其中,所述第二电极包括多个子电极,相邻的子电极之间具有缝隙。

其中,每个所述子电极的形状为条状、折线状和米字状中的任意一种。

其中,所述阵列基板包括多个像素单元,每个像素单元包括多个子像素;每个像素单元的各子像素中,第二电极的透光率不等。

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